技术编号:8344732
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。图1示出了常规的MOS晶体管2。该MOS晶体管2包括导电栅极4,导电栅极4设置于衬底6上方并且通过绝缘材料层8与衬底6绝缘。源极区10和漏极区12形成于衬底中,具有与衬底的导电类型(或衬底中的阱的导电类型)相反的导电类型。例如,对于P型衬底或对于N型衬底中的P型阱,源极区和漏极区具有N型导电性。绝缘间隔物14形成于栅极4的横向侧上。源极10和漏极12在两者间限定沟道区16。源极10和漏极12的沟道侧边缘与栅极4的边缘对准。如图2所示,还已知使用多个掺杂步骤...
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