技术编号:8363004
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及进行表面处理工艺的方法、利用表面处理制造半导体器件的方法以及通过该方法制造的半导体器件。背景技术根据具有MOS晶体管的有源区的半导体器件的小型化,MOS晶体管的有源区的尺寸已经逐渐减小。由此,MOS晶体管的沟道长度也已经减小。如果MOS晶体管的沟道长度变得更小,会发生短沟道效应(SCE)并且MOS晶体管的操作性能会受损失。因此,已经进行了不同的研宄以增大MOS晶体管的操作性能,即使MOS晶体管的有源区的尺寸已经减小。这些研宄之一是采用具有鳍型有源...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。