技术编号:8367597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅半导体器件以及制造该碳化硅半导体器件的方法。背景技术为了提高肖特基二极管的击穿电压,终端结构能够被用于缓解电场。作为这种终端结构,已经公知的是JTE(结型终端延伸),FLR(场限制环)(也称为“保护环”)等。根据Jochen Hilsenbeck 等人的 “Avalanche Capability of Unipolar SiCD1desa Feature for Ruggedness and Reliability Improveme...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。