技术编号:8382477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。图1是根据现有技术的包括ESD防静电组件的阵列基板的部分结构示意图,请参考图1,传统的ESD(Electro-static discharge,静电释放)器件设计存在以下缺陷ESD器件需要在2个ITO (Indium Tin Oxide,氧化铟锡)薄膜形成之后才能生效,在此之前的Array (阵列)工艺流程中产生的静电只能通过设备及操作管控等客观方法来控制,导致产生的这些静电无法得到及时、迅速地释放。针对上述缺点,现有技术并没有提出一种有效的解决方案。发明...
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