技术编号：8382521
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。配置和制备高压半导体功率器件的传统技术，由于存在各种取舍，进一步提高器件性能的话，仍然面临许多困难和局限。在垂直半导体功率器件中，性能属性之一的漏源电阻(即导通状态电阻，常用RdsA表示，即RdsX有源区面积)与功率器件可承受的击穿电压之间存在取舍关系。击穿电压(BV)和RdsA之间普遍认可的关系为RdsA正比于(BV) 2_5。为了降低RdsA，需要制备一个较高掺杂浓度的外延层。然而，重掺杂的外延层也会降低半导体功率器件可承受的击穿电压。为解决这些性能取...
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