技术编号:8397090
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以一般的侧向扩散式金氧半场效晶体管(Lateral Diffused M0S,简称LDM0S)结构来说,改善其元件特性及降低功率消耗是相当重要的课题。因此,元件的导通电阻(Turnon resistance, Ron)与击穿电压(break down voltage,简称BVdss)对于改善兀件特性及降低功率消耗是关键因素。传统LDMOS使用漂移区(drift reg1n)来释放表面电场的强度,因此需要放大元件尺寸而导致导通电阻无法降低。如何改善此等缺失,...
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