技术编号:8413956
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,随着半导体技术的发展,晶体管尺寸不断缩小,器件和系统的处理速度随之提高。当晶体管沟道缩短到一定程度,就会出现短沟道效应,从而造成漏电流变大,开关效率降低,耗电和发热量增大,从而影响器件的性能,为有效解决器件尺寸减小带来的短沟道效应,提高器件的性能,目前通常采用高迁移率材料替代传统硅材料,比如在PMOS中采用SiGe材料,在器件的制造过程中一般采用在整个MOSFET区域都先生长一层SiGe材料,然后制备晶体管,其制备工艺复杂,且生产成本较高。因此,如...
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