技术编号：8414106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在高级超维场转换(ADS)模式的阵列基板中，为简化制备工艺，可在一次构图工艺中形成有源区和源/漏电极，在这种情况下，像素电极位于源/漏电极上方，即像素电极“搭接”在漏极上。如图1所示，漏极41 (和源极42)的厚度通常较大，约数百微米，而像素电极5厚度较薄，只有数十微米。因此，当漏极41边缘的坡度角较大(图中以90度为例)时，像素电极5“搭接”在漏极41上的部分(搭接部51)与处于漏极41之外的部分(主体部52)之间，容易在漏极42边缘处(即搭接部51与主...
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