技术编号:8417676
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法。背景技术为了增大垂直型半导体器件的击穿电压,可使用终端结构缓和电场。作为这种终端结构,已知的是JTE(结终端扩展)、FLR(场限制环)(也被称为“保护环”)等。例如,根据Material Science Forum(《材料科学论坛》),第 717-720 (2012)卷、第 1097-1100 页、ShiroHino 等人的‘‘SiC-MOSFET structure enabling fast tu...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。