技术编号:8426259
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造中常用到派射沉积(Sputtering Deposit1n, SD)工艺,用于将金属派射到衬底上以形成薄膜。这种工艺是物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)中的一种,通过高能量粒子轰击溅射靶材,使被轰击的靶材原子或分子离开固体进入气体,并沉淀积累在待沉积的基底表面上形成薄膜。所述高能量粒子工艺是通过专门的溅射设备来完成的。在溅射过程中,通常在溅射设备中安置环件结构,以约束溅射粒子的运动轨迹,也就是说,所述环件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。