环件结构及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种环件结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中常用到派射沉积(Sputtering Deposit1n, SD)工艺,用于将金属派射到衬底上以形成薄膜。这种工艺是物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)中的一种，通过高能量粒子轰击溅射靶材，使被轰击的靶材原子或分子离开固体进入气体，并沉淀积累在待沉积的基底表面上形成薄膜。所述高能量粒子工艺是通过专门的溅射设备来完成的。
[0003]在溅射过程中，通常在溅射设备中安置环件结构，以约束溅射粒子的运动轨迹，也就是说，所述环件结构在溅射过程中起到聚焦高能量粒子的作用。
[0004]所述环件结构通过若干凸起的连接部(knob)与派射设备相连接。
[0005]由于在溅射过程中，环件结构上会留有溅射产生的颗粒物，尤其是停留在所述连接部上。这些颗粒物在环件结构上聚集到一定程度后会发生剥落现象(peeling)，剥落的沉积物不仅会影响溅射环境，还容易掉落在溅射表面上，导致产品产生缺陷甚至报废。
[0006]为此，如何尽量避免连接部上发生沉积物剥落现象，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0007]本发明解决的问题是提供一种环件结构及其制造方法，以增加所述连接不得粗糙程度以使吸附沉积物的能力变强，进而尽量避免发生剥落现象。
[0008]为解决上述问题，本发明提供一种环件结构，包括:
[0009]环件；
[0010]固定于所述环件上的若干圆柱状的连接部，所述连接部的侧壁上设有滚花形成的网纹。
[0011]可选的，所述环件以及连接部的材料为钽。
[0012]可选的，所述环件以及连接部之间为焊接连接。
[0013]可选的，所述网纹的粗糙度在10?65微米的范围内。
[0014]可选的，所述网纹的深度在0.1?0.8毫米的范围内。
[0015]可选的，所述网纹为相互交叉的沟槽形成的菱形网纹。
[0016]可选的，所述网纹的疏密程度在25?80TPI的范围内。
[0017]此外，本发明还提供一种环件结构的制造方法，包括:
[0018]提供环件；
[0019]形成圆柱状的连接部，所述连接部的侧壁形成有网纹；
[0020]将若干所述连接部固定于所述环件上。
[0021]可选的，提供环件的步骤包括:提供钽环件。
[0022]可选的，提供连接部的步骤包括:提供钽连接部。
[0023]可选的，形成连接部的步骤包括:
[0024]提供钽棒；
[0025]去除所述钽棒的端部的部分材料，以在所述钽棒的端部形成直径小于钽棒的圆柱；
[0026]对所述圆柱进行滚花处理，以在圆柱的侧壁形成所述网纹；
[0027]去除部分钽棒，剩余的钽棒以及圆柱形成所述连接部。
[0028]可选的，进行滚花处理的步骤包括:使形成的网纹的粗糙度在10?65微米的范围内。
[0029]可选的，进行滚花处理的步骤包括:使形成的网纹的深度在0.1?0.8毫米的范围内。
[0030]可选的，进行滚花处理的步骤包括:滚花处理的滚花压降量在0.4?1.0毫米的范围内。
[0031]可选的，进行滚花处理的步骤包括:通过滚花处理在圆柱的侧壁上形成相互交叉的沟槽，使形成的网纹呈菱形。
[0032]可选的，所述的呈菱形的网纹的深度在0.1?0.8毫米的范围内。
[0033]可选的，将连接部固定于环件的步骤包括:通过焊接的方式将所述连接部固定于所述环件上。
[0034]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0035]通过对所述连接部滚花处理以形成网纹，增加了连接部表面的粗糙程度，所述的网纹能够驻留一定量的沉积物，也就是说，增加了连接部吸附沉积物的能力，进而减小了连接部上发生剥落现象的几率。此外，网纹中驻留的沉积物不容易被溅射过程中的溅射原子影响，进一步避免了连接部上的沉积物发生剥落现象。
[0036]进一步，形成菱形的网纹能够进一步增强连接部的表面的吸附沉积物的能力。
【附图说明】
[0037]图1至图4是本发明环件结构一实施例的结构示意图；
[0038]图5为本发明环件结构的制造方法在一实施例的流程示意图；
[0039]图6至图9为形成的所述连接部在各个步骤中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0040]由于在进行溅射沉积的过程中，在溅射设备内的环件的连接部(knob)上会留有一定量的沉积物，这些沉积物在附着到一定程度时容易发生剥落现象，剥落的沉积物会影响溅射环境以及产品质量。
[0041]为此，本发明提供一种环件结构，以尽量避免连接部上的沉积物发生剥落现象。参考图1以及图2，为本发明的环件结构在实施例的结构示意图，包括:
[0042]环件100 ；
[0043]固定于所述环件100上的若干圆柱状的连接部110，所述连接部110的侧壁上设有滚花形成的网纹112 (参考图2)。
[0044]在本实施例中，所述环件100以及连接部110均采用钽(Ta)作为材料，但是本发明对100以及连接部110的材料不作限制。
[0045]所述环件100通过所述连接部110安置在溅射设备中。
[0046]所述连接部110包括环形凸台114以及同轴设于所述环形凸台114上的圆柱111，其中:
[0047]所述环形凸台114用于将所述连接部110与所述环件100连接；在本实施例中，所述环形凸台114与所述环件100为焊接连接，也就是说，所述连接部110与所述环件100为焊接连接。
[0048]结合参考图3，当所述连接部110安装于所述环件100后，所述环形凸台114嵌入所述环件100中。
[0049]结合参考图4，圆柱111的侧壁设有所述网纹112。
[0050]设置所述网纹112的好处在于:
[0051]一方面，所述网纹112增加了所述连接部110表面的粗糙度，在溅射过程中，网纹112的缝隙或者沟槽具有一定的深度以及宽度，可以容纳并吸附较多的沉积物50，从而尽量避免沉积物发生剥落现象。
[0052]另一方面，由于溅射原子的撞击可能促使沉积物发生剥落现象，然而在本发明中，沉积物50掉落并驻留在网纹112的纹路的缝隙或者沟槽中，在溅射过程中的溅射原子不容易打到沉积物50上，也就是说，附着在网纹112上的沉积物50不容易受到溅射的原子的影响，从而进一步减小了附着的沉积物50发生剥落现象的几率。
[0053]综上所述，本发明的环件结构可以应用于溅射强度较大的工艺中，而不会发生沉积物剥落的现象，同时也使得环件结构能够得到多次重复使用，节约了成本。
[0054]由于钽金属的质地较为坚硬，鉴于对于钽金属的滚花加工难度较大，在本实施例中，使所述网纹的粗糙度在10?65微米的范围内，网纹112的深度在0.1?0.8毫米的范围内，这样的好处在于，在保证圆柱111表面具有一定的粗糙度的同时，尽量不增加滚花工艺的难度，以便于网纹112的加工。
[0055]同时，在本实施例