读写分离的双端口sram结构及其单元的制作方法技术资料下载

技术编号:8431808

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静态随机存取存储器(SRAM)嵌入到几乎所有的大规模集成电路(VLSI)中,并且在要求高速、高集成度、低功耗、低电压、低成本、短周期的应用中起到了关键性的作用。嵌入式SRAM相比动态随机存取存储器(DRAM)等其它嵌入式半导体存储器能够提供更快的访问速度,所以在高端应用中占据着统治地位。静态噪声容限(SNM)为评估SRAM存储单元的参数之一,是指存储单元所能承受的最大直流噪声信号的幅值,若超过这个值,存储结点的数据会发生误反转,它是衡量存储单元抗干扰能力的...
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