技术编号:8432147
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体工业的发展,半导体器件的特征横向尺寸和深度逐渐减小,而器件尺寸的变化会导致器件性能发生变化,进而会影响到小尺寸器件的设计和使用。在使用浅沟槽隔离(STI)工艺的平台中,有源区通过浅沟槽隔离结构与场区隔离,且在有源区设置源极区和漏极区。在半导体器件的俯视图的二维平面上,从源极区到漏极区间的电流方向为沟道的长度方向,和该长度方向垂直的方向为沟道的宽度方向,沟道在宽度方向的两端与浅沟槽隔离结构相邻接,使得沟道中的杂质离子容易向浅沟槽隔离结构中扩散。以N...
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