技术编号:8432149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体产业向更低的技术节点的发展,渐渐开始从平面CMOS晶体管向三维FinFET (3D鳍式场效应晶体管)器件结构的过渡。FinFET中,栅极结构至少可以从两侧对沟道进行控制,具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力,能够很好的抑制短沟道效应。而且相对其它器件具有更好的与现有的集成电路生产技术的兼容性。现有的鳍式场效应晶体管(FinFET)的结构,请参照图1,包括半导体衬底10 ;位于半导体衬底10上的掩埋氧化层(BOX,Buried 0x...
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