技术编号:8432274
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在超大规模集成电路中,通常采用应变硅技术(Strained Silicon)使得NMOS晶 体管上形成张应力,在PMOS晶体管上形成压应力,从而增大NMOS晶体管和PMOS晶体管的 载流子迁移率,增大了驱动电流,提高了电路的响应速度。嵌入式应力晶体管是应变硅技术 应用的热点之一。 如图1所示,现有的嵌入式应力晶体管包括开设在PMOS晶体管20周边的呈" Σ " 形的压应力层21,开设在NMOS晶体管30周边的呈"U"形的拉应力层31。在所述嵌入式应 力晶...
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