技术编号:8474069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体工艺技术的不断发展,工艺节点逐渐减小,后栅(gate-last)工艺得到 了广泛应用,以获得理想的阈值电压,改善器件性能。但是当器件的特征尺寸进一步下降 时,即使采用后栅工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求,鳍 式场效应晶体管(Fin FET)作为一种多栅器件得到了广泛的关注。 由于集成电路中,不同的器件的工作电压不同,需要形成不同厚度的栅介质层,栅 介质层厚度较薄的鳍式场效应晶体管一般被应用于集成电路中的工作电压较低...
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