技术编号：8487740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体存储器的制造过程的越来越小型化，在诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器上，访问被集中的字线对相邻字线给出了诸如串扰等的电影响。因此，在连接到相邻字线的存储器单元上出现数据损坏的问题已经变得显著。为了避免该问题，通常已经采取了下面的两种措施。第一措施是缩短刷新周期。第二措施是使得存储器控制器发出对集中访问时受影响的相邻行地址的刷新。在PTL I中公开了与上述问题相关的技术。在PTL I的技术中，当在多个存储介质上分配地址时，监视每个地址...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。