一种采用n型碳化硅衬底制作n沟道igbt器件的方法技术资料下载

技术编号:8488856

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碳化硅由于其临界场强高、禁带宽度大等特点,成为在大功率、高温、高压等应用领域非常受欢迎的半导体材料。碳化硅器件与同类硅器件相比,其比导通电阻小两个数量级,工作频率10倍于硅,辐射耐受量10倍于硅,单个器件可承受的电压可达硅器件的10倍,芯片功率密度可达硅器件的10倍到30倍,碳化硅模块的体积重量与硅模块相比可减少80%,系统损耗可降低30%到70%。基于碳化硅的功率器件被期待具有更高的性能,且更适合于大功率应用。具有高开关频率兆瓦级器件的发展对于大功率系统...
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