技术编号：8488963
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属栅电极可以应用为晶体管的栅电极。具有低电阻的金属栅电极可以降低栅极电阻。另外，由于金属栅电极可以具有高功函数，所以沟道剂量(channel dose)可以被降低，这导致泄漏电流减小且晶体管性能改善。然而，由于在源/漏极区中的金属栅电极和结区重叠处栅致漏极泄漏(GIDL)增加了，所以由于高功函数的原因可能要引起问题。特别地，在掩埋栅型晶体管中，由于掩埋金属栅电极与源/漏极区之间的重叠面积大，所以栅致漏极泄漏(GIDL)可能是问题。为了减少栅致漏极泄漏(G...
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