技术编号:8489026
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在激光二极管(LD)和发光二极管(LED)等光器件的制造工序中,在由藍宝石或SiC(碳化娃)等构成的晶体生长用基板的上表面通过例如外延生长层叠发光层(外延 层),由此制造出用于形成多个光器件的光器件晶片。LD、L邸等光器件在光器件晶片的正 面上形成于由构成为格子状的多条分割预定线划分出的各区域中,通过沿着所述分割预定 线分割光器件晶片来使其单片化,由此制造出一个个光器件。 W往,作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法,已知在专利文献1和2中记载 的方法。...
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