光器件及光器件的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及在基板的正面形成有发光层的光器件及光器件的加工方法。
【背景技术】
[0002] 在激光二极管（LD)和发光二极管（LED)等光器件的制造工序中，在由藍宝石或SiC(碳化娃）等构成的晶体生长用基板的上表面通过例如外延生长层叠发光层（外延 层），由此制造出用于形成多个光器件的光器件晶片。LD、L邸等光器件在光器件晶片的正 面上形成于由构成为格子状的多条分割预定线划分出的各区域中，通过沿着所述分割预定 线分割光器件晶片来使其单片化，由此制造出一个个光器件。
[0003] W往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，已知在专利文献1和2中记载 的方法。在专利文献1的分割方法中，首先，沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波 长的脉冲激光束来形成激光加工槽。然后，通过对晶片施加外力，W激光加工槽为分割起点 来切断光器件晶片。
[0004]在专利文献2的分割方法中，为了提高光器件的亮度，W使聚光点对准晶片内部 的方式照射对于光器件晶片具有透射性的波长的脉冲激光束，在内部形成沿着分割预定线 的改性层。然后，通过对因改性层而强度降低的分割预定线施加外力，来分割光器件晶片。
[0005] 专利文献1 ;日本特开平10-305420号公报
[0006] 专利文献2 ;日本特开2008-006492号公报
[0007]在专利文献1、2的光器件晶片的分割方法中，使激光束相对于光器件晶片大致垂 直地入射，并W激光加工槽或改性层为分割起点将光器件晶片分割成一个个光器件。所述 光器件的侧面相对于在正面形成的发光层大致垂直，光器件形成为长方体形状。从而，在从 光器件的发光层射出并在光器件的背面反射的光中，相对于侧面的入射角比临界角度大的 光的比例变高。因此，在侧面发生全反射的光的比例变高，在反复进行全反射的过程中最终 在光器件的内部消失的光的比例也变高。其结果为，存在光器件中的光的导出效率降低从 而导致亮度也降低该样的问题。
【发明内容】
[0008]本发明是鉴于上述方面而完成的，其目的在于提供一种能够提高光的导出效率的 光器件及光器件的加工方法。
[0009]本发明的光器件包括基板和在基板的正面形成的发光层，该光器件的特征在于， 在基板的背面形成有凹部。
[0010] 根据该结构，在基板的背面形成有凹部，因此，能够使入射至凹部的光发生漫反 射，从而能够使发生漫反射并入射至基板的侧面的光中的、W临界角度W下的角度入射至 侧面的光的比例增多。由此，能够将发生全反射并返回发光层的光的比例抑制得较低，能够 增大从侧面射出的光的比例，从而能够实现光的导出效率的提高。
[0011] 并且，在本发明的上述光器件的加工方法中，特征在于，所述光器件的加工方法由 下述工序构成：粘贴工序，在光器件晶片的正面侧粘贴保护带，所述光器件晶片在正面具 有发光层，在所述光器件晶片的正面形成有多条交叉的分割预定线，并且在由分割预定线 划分出的发光层的各区域中分别具有光器件；分割起点形成工序，在实施了粘贴工序后，沿 着光器件晶片的分割预定线形成成为分割的开端的分割起点；分割工序，在实施了分割起 点形成工序后，沿着分割预定线对光器件晶片施加外力而将光器件晶片分割成一个个光器 件；W及凹部形成工序，在实施分割工序之前或实施了分割工序之后，向背面照射对于光器 件晶片具有吸收性的波长的激光光线，从而在背面形成凹部。根据该方法，各工序不会变得 复杂或长时间化，能够制造出在背面形成有凹部的光器件。
[0012] 并且，在本发明的上述光器件的加工方法中，在凹部形成工序中，可W通过蚀刻对 形成在背面的凹部内进行处理。
[0013] 根据本发明，能够提高光的导出效率。
【附图说明】
[0014] 图1是从背面侧示意性地示出本实施方式的光器件的结构例的立体图。
[0015] 图2是示出本实施方式的光器件中的光射出的样子的剖视示意图。
[0016] 图3是示出比较结构的光器件中的光射出的样子的剖视示意图。
[0017] 图4是激光加工装置的立体图。
[0018] 图5是粘贴工序的说明图。
[0019] 图6A是分割起点形成工序的说明图，图6B是凹部形成工序的说明图，图6C是分 割工序的说明图。
[0020] 标号说明
[0021] 1 ;光器件；
[0022] 21 ;基板；
[0023] 21a;正面；
[0024] 2化；背面；
[0025] 22 ;发光层；
[0026] 23;凹部；
[0027] ST;预定分割线；
[002引 W;光器件晶片；
[0029] W1 ;基板；
[0030] W2;发光层。
【具体实施方式】
[0031] 参照附图，对光器件及其加工方法进行说明。首先，参照图1及图2，对光器件进行 说明。图1是从背面侧示出光器件的一例的立体图。图2是用于说明光器件的光的射出状 态的剖视图。
[0032] 如图1及图2所示，光器件1被引线接合封装或倒装巧片封装在基座11 (在图1 中未图示）上。光器件1构成为包括基板21和在基板21的正面21a上形成的发光层22。 基板21作为晶体生长用基板，从藍宝石基板（Al2〇3基板）、氮化嫁基板（GaN基板）、碳化娃 基板（SiC基板）、氧化嫁基板（Ga2〇3基板）中进行选择。基板21优选为透明的。
[0033] 发光层22是通过在基板21的正面21a上依次外延生长有电子为多数载流子的n 型半导体层（例如，n型GaN层）、半导体层（例如，InGaN层）、电子空穴为多数载流子的P 型半导体层（例如，P型GaN层）而形成的。并且，在n型半导体层和P型半导体层上分别 形成有外部引出用的2个电极（未图示），通过对2个电极施加来自外部电源的电压，由此 从发光层22射出光。
[0034] 基板21的正面21a和背面2化在俯视观察时形成为大致相同的四边形状，且形成 为相互平行。基板21具备将正面21a及背面2化各自的四条边连结起来4个侧面21c。各 侧面21c形成为与正面21a及背面2化垂直。在基板21的背面2化形成有凹部23。凹部 23形成为内周面是曲面的弹坑状，在仰视观察时形成为大致圆形状。对凹部23内通过蚀 刻进行处理，除去了凹部23内的碎屑，实现了亮度的提高。作为蚀刻，可W举例示出湿法蚀 亥IJ。形成有凹部23的区域相对于背面2化的全部面积的比例被设定为40~80%。另外， 凹部23的形成数量在本实施方式中为1，但也可W在背面2化的面内形成多个凹部。
[0035] 接下来，参照图3的比较结构的光器件，对本实施方式的光器件1的亮度改善效果 进行说明。图3是示出从用于和实施方式进行比较的比较结构的光器件射出光的样子的剖 视示意图。相对于实施方式的光器件1，比较结构的光器件3除了基板的背面形状发生变 化该一点外具备相同的结构。目P，比较结构的光器件3由基板31和发光层32构成，并封装 在基座33上，所述基板31的正面31a和背面3化形成为大致相同的四边形状，所述发光层 32形成于基板31的正面31a。并且，基板31的背面3化形成为与正面31a平行的平面状。
[0036] 如图2所示，在本实施方式的光器件1中，由发光层22产生的光主要从正面22a 和背面2化射出。从发光层22的正面22a射出的光（例如，光路A1)通过透镜部件（未图