示）等向外部导出。另一方面，例如从发光层22的背面2化射出并在光路A2上传播的光 入射至凹部23而发生漫反射。作为在凹部23中被漫反射的光，可W举例示出在光路A3、 A4、A5上传播的光。
[0037] 在光路A3上传播的光入射至发光层22并被吸收，从而无法导出至外部。另一方 面，在光路A4、A5上传播的光相对于基板21的侧面21c和空气层的界面W入射角0 1、0 2 入射。当该些入射角0 1、0 2在基板21的临界角W下时，如图所示，至少一部分向空气层 侧透过而射出。
[003引与此相对，如图3所示，比较结构的光器件3的光路B1、B2与实施方式的光器件1 的光路A1、A2相同地射出。在光路B2上传播的光在基座33的正面发生反射而在光路B3 上传播。光路B3相对于侧面31c和空气层的界面的入射角0 3比实施方式的入射角0 1、 0 2大，并且比基板31的临界角大，从而在侧面31c和空气层的界面发生全反射（光路B4)。 并且，在光路B4上传播的光透过基板31后入射至发光层32而被吸收，从而无法导出至外 部。
[0039] 如上所述，根据本实施方式的光器件1，在基板21的背面2化形成有弹坑状的凹 部23,因此，能够使从发光层22射出并与光路A2相同地传播的光发生漫反射，从而能够将 所述光与光路A4、A5相同地导出至外部。因此，和与比较结构的光路B2相同地传播的光相 比，与光路A2相同地传播的光能够减少在侧面21c发生全反射的光的比例。由此，能够减 少在基板21的内部反复发生反射并返回发光层22的光的比例，增多从基板21射出的光的 比例，从而能够提高光的导出效率，实现亮度的提高。另外，在本实施方式中，在将形成有凹 部23的区域相对于背面2化的全部面积的比例设定为80 %的情况下，与比较结构相比能够 将亮度提高1~2%。
[0040] 接下来，对本发明的实施方式的光器件的加工方法进行说明。本实施方式的光器 件的加工方法经过粘贴工序、分割起点形成工序、基于激光加工装置进行的凹部形成工序、 W及基于分割装置进行的分割工序来实施。在粘贴工序中，在光器件晶片的形成有发光层 的正面粘贴粘接片。在凹部形成工序中，在光器件晶片的背面形成凹部。在分割工序中，沿 着光器件晶片的分割预定线分割成一个个光器件。W下，对本实施方式的加工方法的详细 情况进行说明。
[0041] 参照图4,对在光器件晶片的背面形成凹部的激光加工装置进行说明。图4是本实 施方式的激光加工装置的立体图。另外，本实施方式的激光加工装置不限定于图4所示的 结构。激光加工装置只要能够对光器件晶片形成凹部，可W是任何结构。
[0042] 如图4所示，激光加工装置100构成为：使照射激光光线的激光加工单元102和保 持着光器件晶片W的卡盘工作台（保持构件）103相对移动，来对光器件晶片W进行加工。
[0043] 激光加工装置100具有长方体状的基板101。在基板101的上表面设有卡盘工作 台移动机构104,该卡盘工作台移动机构104使卡盘工作台103沿X轴方向进行加工进给， 并且使卡盘工作台103沿Y轴方向进行分度进给。在卡盘工作台移动机构104的后方立起 设置有立壁部111。臂部112从立壁部111的前表面突出，在臂部112上，W与卡盘工作台 103对置的方式支承有激光加工单元102。
[0044] 卡盘工作台移动机构104具有；配置在基板101的上表面的与X轴方向平行的一 对导轨115 ;和W能够滑动的方式设置于一对导轨115上的马达驱动的X轴工作台116。并 且，卡盘工作台移动机构104具有；配置在X轴工作台116上表面的与Y轴方向平行的一对 导轨117 ;和W能够滑动的方式设置于一对导轨117上的马达驱动的Y轴工作台118。
[0045] 在Y轴工作台118的上部设有卡盘工作台103。另外，在X轴工作台116、Y轴工作 台118的背面侧分别形成有未图示的螺母部，在该些螺母部中螺合有滚珠丝杠121、122。并 且，通过驱动与滚珠丝杠121、122的一端部连结的驱动马达123、124旋转，来沿着导轨115、 117在X轴方向及Y轴方向上移动卡盘工作台103。
[0046] 卡盘工作台103形成为圆板状，并且借助0工作台125W能够旋转的方式设在Y 轴工作台118的上表面。在卡盘工作台103的上表面利用多孔质陶瓷材料形成有吸附面。 在卡盘工作台103的周围经由一对支承臂设有4个夹紧部126。4个夹紧部126由空气致 动器（未图示）驱动，由此从四个方向夹持固定光器件晶片W的周围的环状框架F。
[0047] 激光加工单元102具有设于臂部112的末端的加工头127。在臂部112和加工头 127内设有激光加工单元102的光学系统。加工头127利用聚光透镜对从未图示的振荡器 振荡发出的激光光线进行聚光，来对保持在卡盘工作台103上的光器件晶片W进行激光加 工。在该情况下，激光光线是对于光器件晶片W具有吸收性的波长，在光学系统中进行调整 W便在光器件晶片W的背面（图4中的上表面）聚光。
[0048] 通过照射该激光光线，在光器件晶片W的背面产生烧蚀而局部地进行蚀刻，从而 在与光器件1对应的位置分别形成弹坑状的凹部23(参照图6)。该里，所谓的烧蚀是指 下述该样的现象；当激光束的照射强度成为规定的加工阔值W上时，在固体表面转换成电 子、热、光学w及力学的能量，其结果为，爆发性地射出中性原子、分子、正负的离子、原子团 (radical)、簇（cluster)、电子、光，从而导致固体表面被蚀刻。在本实施方式中，在光器件 晶片W的后述的基板化为藍宝石的情况下，激光光线的波长被设定为被藍宝石全部吸收的 200nmW下或7ymW上的波长。
[0049] 光器件晶片W形成为大致圆板状。还如图5的剖视图所示，光器件晶片W构成为 包括基板化和在基板化的正面形成的发光层W2。光器件晶片W被多条交叉的分割预定线 ST划分成多个区域，在该划分出的各区域中分别形成有光器件1。并且，光器件晶片WW形 成有发光层W2的正面向下的方式粘贴于粘接片S，该粘接片S被张紧在环状的环状框架F 上。
[0050] 参照图5及图6A~图6C，对本实施方式设及的光器件晶片的加工方法的流程进行 说明。图5及图6A~图6C是光器件晶片W的加工方法的各工序的说明图。另外，图5及 图6A~图6C所示的各工序只不过是一个例子，并不限定于该结构。
[0051] 首先，实施图5所示的粘贴工序。在粘贴工序中，首先，W成为发光层W2侧的正面 向上的状态，将光器件晶片W配置在框架F的内侧。然后，利用粘接片S将光器件晶片W的 正面（上面）和框架F的上表面粘贴成一体，从而借助粘接片S将光器件晶片W安装于框 架F。
[0052] 在实施了粘贴工序后，如图6A所示，实施分割起点形成工序。在分割起点形成工 序中，光器件晶片W的粘接片S侧被卡盘工作台41保持，框架F被夹紧部42保持。并且， 加工头43的射出口被定位于光器件晶片W的分割预定线ST，利用加工头43从光器件晶片 W的背面侧（基板化侦。照射激光光线。激光光线是对于光器件晶片W具有透射性的波 长，并且被调整成在光器件晶片W的内部聚光。然后，一边调整激光光线的聚光点，一边使 保持有光器件晶片W的卡盘工作台41相对移动，由此在光器件晶片W的内部形成沿着分割 预定线ST的改性层R。
[0053] 在该情况下，首先将聚光点调整到光器件晶片W的发光层W2附近，进行激光加工， W便沿着全部的分割预定线ST形成改性层R的下端部。然后，每当向上移动聚光点的高度 时，沿着分割预定线ST重复进行激光加工，