Oled器件及oled器件的制作方法

文档序号:8283950阅读:485来源:国知局
Oled器件及oled器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于OLED显示技术领域,更具体地,涉及一种OLED器件及OLED器件的制作方法。
【背景技术】
[0002]OLED器件通常这样构成:透光的第一电极(透明电极)、淀积在第一电极上的OLED介质、以及位于OLED介质上面的第二电极(金属电极)。透明电极作为器件的阳极层,金属电极作为器件的阴极。给透明电极施加高电平,给金属电极施加低电平使器件发光。一组彼此平行的阳极层(阴极)与一组与之垂直的彼此平行的阴极(阳极层)构成二维X-Y
寻址矩阵。
[0003]如图1所示的目前的OLED光刻工艺,在玻璃基板12上生成阳极层11,绝缘层14使用正性光刻胶(正梯形)完成,隔离柱13使用负性光刻胶制作(倒梯形)完成。正性光刻胶为不透明的,所以目前的OLED器件无法实现全透明显示。

【发明内容】

[0004]为了克服现有技术中的上述不足之处,尤其是要解决无法全透明的技术问题,本发明提供了如下的技术方案:
根据本发明的一方面,提供了一种OLED器件,其包括透明的玻璃基板、呈复数条间隔排列于所述玻璃基板上的透明的阳极层、分布于所述阳极层之间且呈复数条间隔排列于所述玻璃基板上的绝缘层,及呈复数条且对应布设于所述绝缘层上的隔离柱上;所述绝缘层和隔离柱的材料均为透明负性光刻胶,且所述绝缘层每条的截面形状均为正梯形或正方形。
[0005]进一步地,所述绝缘层每条的截面形状为正梯形时,正梯形中腰与上边的角度为90 度-120 度。
[0006]进一步地,所述OLED器件还包括布设于所述阳极层且位于所述绝缘层之间和所述隔离柱之间的有机发光层、布设于所述有机发光层和所述隔离柱上的阴极层和位于所述阴极层上的封装盖板,所述阴极层和封装层的材料均为透明材料。
[0007]进一步地,所述阳极层为ITO层,所述阴极层材料为镁银合金。
[0008]进一步地,所述绝缘层的厚度为1.5um。
[0009]进一步地,所述玻璃基板的厚度为0.5-0.7mm,阳极层的厚度为150nm,隔离柱的厚度为 3.2-3.9um。
[0010]根据本发明的另一方面,提供了一种OLED器件的制作方法,包括如下步骤:
(1)提供透明玻璃基板;
(2)在所述玻璃基板上形成的透明阳极层,所述阳极层呈复数条间隔排列;
(3)在所述玻璃基板上涂布透明负性光刻胶制作绝缘层,所述绝缘层分布于所述阳极层之间且呈复数条间隔排列,所述绝缘层每条的截面形状均为正梯形或正方形; (4)在所述绝缘层上涂布负性光刻胶制作隔离柱。
[0011]进一步地,所述步骤(3)中形状为正梯形或正方形的绝缘层的制作包括如下步骤:
在110~125摄氏度下对透明负性光刻胶进行预烘,预烘时间为125~140秒;
对透明负性光刻胶曝光,曝光量为30~50mj/Com ;
对透明负性光刻胶进行烘烤,时间为150~250秒,温度为115摄氏度~120摄氏度; 对透明负性光刻胶进行显影,显影时间1~2分钟;
对负性透明光刻胶在220~250摄氏度条件下,固化500~600秒。
[0012]进一步地,在所述步骤(2)还包括在清洗干净阳极层上再镀一层透明导电膜,形成双层透明导电膜。
[0013]进一步地,所述双层透明导电膜的材料为Mo/Al/Mo和ΙΤ0。
[0014]本发明具有如下的有益效果:
(I)OLED器件中,使用透明的负性光刻胶制作绝缘层与隔离柱。由于透明负性光刻胶透过率在90%以上,从而能实现显示区域全透明。
[0015](2)整合了现有OLED光刻工艺,使目前两种光刻胶应用工艺仅由一种光刻胶就可以实现,减少了备料,节省了成本,提高了生产效率;
(3)在使用透明的负性光刻胶制作绝缘层与隔离柱的过程中,通过增加与烘烤温度和曝光后烘烤温度的方式,降低了电极粘附一面光刻胶与显影液反映速率,温度高显影慢,将绝缘层形成为正梯形或正方形,可解决现有工艺用透明光刻胶制作绝缘层导致行方向阴极线路无法导通的问题。
【附图说明】
[0016]图1示出了在目前的OLED光刻工艺下制成的基板结构;
图2示出了根据本发明的优选实施例的OLED器件的部分结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]如图2所示,根据本发明的一个优选实施例,提供了一种OLED器件。该OLED器件包括透明的玻璃基板22、呈复数条间隔排列于所述玻璃基板22上的透明的阳极层21、分布于所述阳极层21之间且呈复数条间隔排列于所述玻璃基板22上的绝缘层24,及呈复数条且对应布设于所述绝缘层24上的隔离柱23上。所述绝缘层24和隔离柱23的材料均为透明负性光刻胶,且所述绝缘层24每条的截面形状均为正梯形或正方形。
[0018]优选地,所述透明负性光刻胶为永光E0C170。
[0019]所述的正梯形的中腰与上边的角度是否为90度-120度,优选120度。
[0020]上述所述OLED器件还包括布设于所述阳极层21且位于所述绝缘层24之间和所述隔离柱23之间的有机发光层、布设于所述有机发光层和所述隔离柱上的阴极层和位于所述阴极层上的封装盖板。所述阴极层和封装层的材料均为透明材料。阴极层选用镁银合金,阳极材料为常见的氧化铟锡(ΙΤ0)。
[0021]所述的玻璃基板的厚度为0.5-0.7mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为
1.5um,隔离柱的厚度为3.2-3.9um。例如,所述玻璃基板的厚度为0.5mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为1.5um,并且隔离柱的厚度为3.2um。
[0022]又如,所述玻璃基板的厚度为0.5mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为1.5um,并且隔离柱的厚度为3.9um。
[0023]又如,所述玻璃基板的厚度为0.7mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为1.5um,并且隔离柱的厚度为3.2um。
[0024]又如,所述玻璃基板的厚度为0.7mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为1.5um,并且隔离柱的厚度为3.9um。
[0025]又如,所述玻璃基板的厚度为0.6mm,阳极层的厚度为150nm,绝缘层的厚度为1.5um,并
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