由此在光器件晶片W的内部形成规定的厚度的 改性层R。该样，在光器件晶片W的内部形成沿着分割预定线ST的成为分割的开端的分割 起点。另外，改性层R是指该样的区域：因激光光线的照射而成为光器件晶片W的内部的 密度、折射率、机械强度及其他物理特性与周围不同的状态，并且强度比周围降低。改性层 R例如是烙融再固化区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域，也可W是它们混合的 区域。
[0054] 在实施了分割起点形成工序后，如图6B所示，实施凹部形成工序。在凹部形成工 序中，光器件晶片W的粘接片S侧被卡盘工作台103保持，框架F被夹紧部126保持。并 且，加工头127的射出口被定位于光器件晶片W上的光器件1的中屯、位置，利用加工头127 从光器件晶片W的背面侧（基板化侦。照射激光光线。激光光线是对于光器件晶片W具 有吸收性的波长，调整激光光线W便在光器件晶片W的背面侧聚光。W规定的时间照射激 光光线来进行烧蚀加工后，使卡盘工作台103沿着成为光器件1的排列方向的X轴方向及 Y轴方向移动，由此对应于各个光器件1的形成位置形成规定的深度的凹部23。并且，在进 行烧蚀加工后，通过蚀刻（例如湿法蚀刻）对凹部23内进行处理，除去凹部23内的碎屑。
[0055] 在实施分割起点形成工序后，如图6C所示，实施断裂加工来作为分割工序。在断 裂加工中，W光器件晶片W的基板化侧向下的状态将该光器件晶片W载置于断裂装置（未 图示）的一对支承座45,光器件晶片W的周围的框架F被载置于环状工作台46。载置于环 状工作台46的框架F被设置在环状工作台46的四个方向上的夹紧部47保持。一对支承 座45沿着一个方向（垂直于纸面的方向）延伸，在一对支承座45之间配置有摄像构件48。 利用该摄像构件48从一对支承座45之间对光器件晶片W的背面（下表面）进行拍摄。
[0056] 在夹着光器件晶片W的一对支承座45的上方设有从上方按压光器件晶片W的按 压刃49。按压刃49沿一个方向（垂直于纸面的方向）延伸，并借助未图示按压机构上下 移动。当利用摄像构件48对光器件晶片W的背面进行拍摄时，根据摄像图像将分割预定线 ST定位于一对支承座45之间且定位在按压刃49的正下方。然后，通过使按压刃49下降， 由此，按压刃49隔着粘接片S抵接于光器件晶片W并施加外力，从而W改性层R为分割起 点来分割光器件晶片W。通过使按压刃49抵接于全部的分割预定线ST，由此将光器件晶片 W分割成一个个光器件1。
[0057] 另外，虽然未特别限定，但作为凹部形成工序中的加工条件，可W举例示出W下的 实施例。
[005引（实施例）
[0059] 光源；C〇2激光
[0060] 波长；9. 4ym(红外线）
[0061] 输出；5W
[0062] 重复频率；1曲Z
[0063] 脉冲宽度；20ysec
[0064] 聚光点直径；(p200叫n
[0065]加工进给速度；600mm/秒
[0066] 对于上述实施例的条件的光器件，在对放射出的全部的光的强度（能量）的合计 值（全放射束测量）进行测量时，和与上述比较结构相同地使基板的背面形成为平面状的 光器件相比，亮度提高了 1~2%。
[0067] 如上所述，根据本实施方式的加工方法，通过烧蚀加工能够迅速形成凹部23,并且 能够在多个光器件1上连续形成凹部23。由此，能够抑制凹部形成工序变得复杂或工序时 间变长该样的情况，从而能够高效地制造光器件1。并且，通过对凹部23内进行蚀刻处理来 除去碎屑，由此能够有助于提高光器件1的亮度。
[0068] 另外，本发明不限定于上述实施方式，能够进行各种变更来实施。在上述实施方式 中，对于附图中所图示的大小和形状等，不限定于此，能够在发挥本发明的效果的范围内适 当地进行变更。此外，只要不脱离本发明的目的的范围，能够适当地进行变更来实施。
[0069] 例如，在上述实施方式中，在分割工序之前进行了凹部形成工序，但也可W在分割 工序之后进行凹部形成工序，或者在粘贴工序之后且在分割起点形成工序之前进行凹部形 成工序。
[0070] 并且，在上述实施方式中，构成为将分割起点形成工序和断裂加工组合起来分割 光器件晶片W，但不限定于该结构。另外，分割工序只要能够沿着分割预定线ST将光器件晶 片W分割成一个个光器件1即可。例如，也可W将分割起点形成工序和扩展加工组合起来 W分割光器件晶片w，所述扩展加工是使粘接片S扩张来对分割预定线ST的改性层R施加 外力。
[0071] 并且，在分割起点形成工序中，也可W通过烧蚀加工在光器件晶片W上形成切断 槽。并且，也可W利用基于切削刀具实现的半切在光器件晶片W上形成切断槽。在该些情 况下，也可W进行扩展加工来代替断裂加工。并且，在分割工序后进行凹部形成工序的情况 下，也可W进行DBG(DicingBe化reGrinding;先划出减薄法）加工，该DBG加工是在对光 器件晶片W进行半切后从背面侧磨削光器件晶片W来将其分割成一个个光器件1的加工。 而且，也可W利用基于切削刀具实现的全切来分割光器件晶片W。
[0072] 并且，在上述实施方式中，上述各工序可W由不同的装置来实施，也可W由同一个 装置来实施。
[0073] 产业上的可利用性
[0074] 本发明在为了提高在基板的正面形成有发光层的光器件的光导出效率上是有用 的。
【主权项】
1. 一种光器件，其包括基板和在该基板的正面形成的发光层， 该光器件的特征在于， 在该基板的背面形成有凹部。
2. -种光器件的加工方法，该光器件包括：在背面形成有凹部的基板；和在该基板的 正面形成的发光层， 该光器件的加工方法的特征在于， 该光器件的加工方法由下述工序构成： 粘贴工序，在光器件晶片的正面侧粘贴保护带，所述光器件晶片在正面具有发光层，在 所述光器件晶片的正面形成有多条交叉的分割预定线，并且在由该分割预定线划分出的该 发光层的各区域中分别具有光器件； 分割起点形成工序，在实施了该粘贴工序后，沿着光器件晶片的该分割预定线形成成 为分割的开端的分割起点； 分割工序，在实施了该分割起点形成工序后，沿着该分割预定线对该光器件晶片施加 外力而将光器件晶片分割成一个个光器件；以及 凹部形成工序，在实施该分割工序之前或之后，向该背面照射对于该光器件晶片具有 吸收性的波长的激光光线，从而在该背面形成凹部。
3. 根据权利要求2所述的光器件的加工方法，其中， 该凹部形成工序包括蚀刻工序，在该蚀刻工序中，通过蚀刻对在该背面形成的该凹部 内进行处理。
【专利摘要】本发明提供一种光器件及光器件的加工方法，其能够提高光的导出效率。本发明的光器件(1)具备基板(21)和在基板(21)的正面(21a)形成的发光层(22)。在基板(21)的背面(21b)上形成有弹坑状的凹部(23)。通过照射对于光器件晶片(W)具有吸收性的波长的激光光线来形成凹部(23)。在光器件(1)中，能够使从发光层(22)放射并入射至凹部(23)的光发生漫反射。
【IPC分类】H01L33-00, H01L33-22
【公开号】CN104810453
【申请号】CN201510030343
【发明人】桐原直俊, 相川力, 伊藤优作, 荒川太郎, 杨子君
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年1月21日
【公告号】US20150214432