技术编号:8499184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 如图1所示,图1是传统的6管(6T)SRAM位单元阵列示意图,这种传统SRAM阵列 有以下两个主要缺点 1.传统的SRAM写操作由于存在要写入的数据值与已保存的数据值之间的竞争关系, 写操作在低电压时容易失败。 假设写操作前节点NVB1保存值为" 1",NV1为"0"。 在写操作的时候,BLB1为0, BL1为1,节点NVB1受BLB1 "0"的下拉降低为"0", 从而导致节点NV1翻转变为"1"。但在NVB1被BLB1下拉为"0"的过程中,由于NV1还...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。