技术编号:8499187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。由于使用多晶硅沟道的三维NAND快闪存储器件的结构特性,当编程电压被施加至字线时,通过该字线和与之相邻的另一个字线之间的带带隧穿可以容易地形成电子-空穴对。由于结构特性,即浮体,可以将形成的空穴充电至漏极选择线(DSL)的底部以致恶化漏极选择晶体管的截止特性。发明内容根据本发明的一个实施例的半导体器件可以包括与字线电耦接的存储器单元。半导体器件还可以包括操作电路,其适于对电耦接至选中字线的存储器单元执行编程循环。此外,操作电路适于当执行编程循环的次数超过参...
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