技术编号：8511636
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发生于入射束(通常为中子、X射线)附近(通常为0.04°~4°)的相干散射称为小角散射，它是由样品内几纳米到几百纳米尺度范围散射长度密度变化引起的。小角散射是获得材料内部纳米尺度结构信息的重要工具，具有统计性好、样品制备简单等优点，在材料微结构分析方面具有独特优势。原位温度中子、X射线小角散射实验经常需要用到加温热台，热台可以将样品加热到各种不同的温度，中子、X射线打在加热后的样品上，经过样品散射的中子、X射线被置于样品后端的探测器记录，进而获得不同温度下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。