技术编号:8513615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的发展,特征尺寸不断减小,金属导线通入的电流密度急剧上升;同时,芯片集成度的提高导致单位面积功耗增大,因此,金属连线的可靠性一直是IC设计和制造所关心的重要问题。金属导线中,沿电场反方向运动的电子与金属离子进行动量交换,导致金属离子产生由扩散主导的质量运输,这种现象被称为电迁移。在半导体器件的互连结构中电迁移是重要的金属失效机理。电迁移引起的失效有两种,分别是互连线短路和断路。随着Cu离子的电迁移,在阴极附近会发生原子损耗,局部张力逐渐增大,达...
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