技术编号：8513617
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体集成电路（1C)工业已经经历了快速发展。由于晶体管尺寸的减小，所以， 随着栅极长度的减小，栅极氧化物的厚度必须减小来维持性能。然而，为了减少栅极泄露， 在保持与通过用于更大的技术节点的典型栅极氧化物所提供的相同的有效厚度的同时，使 用允许更大物理厚度的高介电常数（高k)栅极绝缘层。 另外，在一些1C设计的过程中，由于技术节点的缩小，期望用金属栅（MG)电极来 替换典型的多晶硅栅电极，以通过减小部件尺寸来改善器件性能。形成MG电极的一种工艺 被称为"...
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