技术编号:8513652
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,全环栅(Gate-All-Around ;简称GAA)娃纳米线(nano-wire)场效应晶体管是在未来的超小尺寸CMOS技术中最有应用前景的器件结构之O然而,现有技术中很少有资料披露,在这一类型的器件中,二极管和双极型晶体管的结构是怎样的以及如何在体硅衬底上制造这一器件。因此,如何在半导体器件的制造方法中,在制造体硅全环栅(GAA)晶体管器件的同时,在体硅衬底上完成二极管和双极型晶体管制造,已经成为半导体产业界亟待解决的技术问题。发明内容为了...
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