技术编号:8519672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在制作腔室绝缘体上硅衬底、压力传感器和微电子机械系统的过程中,形成的腔室均位于无定型碳中,这是因为无定型碳可以与氧气发生化学反应而形成易挥发的二氧化碳的缘故。对于现有技术而言,通过蚀刻在无定型碳中形成腔室包括以下步骤首先,如图1A所示,在半导体衬底100上依次形成无定型碳层101、硬掩膜层102和具有腔室图案104的光刻胶层103 ;接着,如图1B所示,以光刻胶层103为掩膜,实施以CHF3、CF4和Ar为基础蚀刻气体的第一蚀刻以蚀刻硬掩膜层102,露出下...
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