技术编号:8519688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为半导体器件的一种,已知有具有三维结构的NAND型闪存装置。在具有三维结构的NAND型闪存装置的制造中,进行如下步骤,S卩,对通过交替设置有介电常数不同的两个层而构成的多层膜进行蚀刻,在该多层膜形成深孔。下述的专利文献I记载有这样的蚀刻。具体而言,专利文献I中记载有通过对在多层膜上具有非晶硅制的掩模的被处理体实施暴露在包含CH2F2气体、N2气体和NF3的处理气体的等离子体中的主蚀刻步骤和暴露在包含CH2F2气体、NF 3、CH3F和CH4的处理气体的等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。