技术编号：85381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及液晶显示(LCD)装置。更具体地，本发明涉及具有减小的泄漏电流的液晶显示(LCD)装置用阵列基板及其制造方法。 背景技术通常，多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)比非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)具有更高的场效应迁移率和更低的光电流。因此，作为用于高清晰度液晶显示(LCD)装置和投影系统的开关器件，p-Si TFT具有优势。另外，因为p-Si TFT具有自对准结构，所以p-Si TFT比a-Si TFT具有更低的电平偏移电压。此外，因为p-Si TFT具有负(N)型和(P)型，所以利用p-Si...
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