技术编号:8546388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在电流镜中,镜像电流在负载晶体管中流动,负载晶体管是电流镜像目的地。镜像电流与在驱动晶体管中流动的基准电流成比例,驱动晶体管是电流镜像源。基准电流与镜像电流之间的比率被称为镜像比。对于具有极高镜像比的电流镜,例如,大负载电流镜,重要的是增强驱动晶体管的驱动能力,即,减小驱动晶体管的输出阻抗。为了减小驱动晶体管的输出阻抗,有效的方法是使用FET(场效应晶体管)来构造电流镜并将驱动晶体管构造成SF(源极跟随器)晶体管O例如,日本专利申请特开平第3-159410...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。