技术编号：8573544
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。石墨烯是碳原子按六角结构紧密堆积成的单原子层二维晶体，载流子的本征迀移率可达到2X105cm/(V.S)，这种优异的电学性质使其在高频电子器件中有着巨大的应用价值。为了制备石墨烯电子器件，首要的问题是制备出大尺寸、具有优异电学性能的石墨烯薄膜，并转移至合适的目标基底上。目前大尺寸石墨烯薄膜的制备方法主要有包括以下几种(1)碳化硅(SiC)外延生长法，虽可获得高质量大面积的单层石墨烯，但是所使用的SiC的价格昂贵，生长条件苛刻，且生产出的石墨烯难于转移；(2...
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