技术编号:8581864
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在晶硅太阳能电池片的选择性发射极(SE)制备工艺中,在湿法刻蚀(SPH)工序后需要测试硅片的方阻。目前,测试SPH后方阻的方法主要有两种一是用经过喷蜡的电池片进行SPH处理后测方阻,由于当电池片通过SPH后,蜡被洗掉而致使其印记也看不清楚,同时为了提高电池片效率,栅线数目越做越多,测试栅线间的方阻时,不能准确的将探针放在栅线之间而导致这样测出的方阻不准确;二是直接用扩散后的未喷蜡的硅片直接进行SPH处理,然后进行方阻测试,这样测试出来的方阻和喷过蜡的电池片...
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