一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶硅太阳能电池片制备领域，具体地涉及一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版。
【背景技术】
[0002]在晶硅太阳能电池片的选择性发射极(SE)制备工艺中，在湿法刻蚀(SPH)工序后需要测试硅片的方阻。目前，测试SPH后方阻的方法主要有两种:一是用经过喷蜡的电池片进行SPH处理后测方阻，由于当电池片通过SPH后，蜡被洗掉而致使其印记也看不清楚，同时为了提高电池片效率，栅线数目越做越多，测试栅线间的方阻时，不能准确的将探针放在栅线之间而导致这样测出的方阻不准确；二是直接用扩散后的未喷蜡的硅片直接进行SPH处理，然后进行方阻测试，这样测试出来的方阻和喷过蜡的电池片的方阻是有差异的，不能够准确的测试出SPH后的方阻。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的提供一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，能够准确地测试刻蚀后的方阻。
[0004]本实用新型采用的技术解决方案是:在电池片的正表面(即主栅线)上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版，其特征在于所述的镂空部分呈对称分布在正表面，设置在栅线上或不在栅线上，其数量为5?9个；所述的镂空部分形状为圆形、四边形或椭圆形；所述镂空部分的尺寸为(5?15)mm*(5?15)mm。
[0005]本实用新型的有益效果是通过在主栅线上设计若干个镂空部分，并涂覆感光胶使用后，能够更准确地测试刻蚀后的方阻。
【附图说明】
[0006]图1本实用新型提供的用于测试湿法刻蚀后方阻的网版结构示意图
【具体实施方式】
[0007]下面结合附图1对本实用新型提供的技术方案作进一步详细说明。
[0008]在本【具体实施方式】中以三主栅为例，在主栅线上设置9个正方形的镂空部分，涂覆上感光胶，防止蜡透过网版；每条主栅线上设置3个正方形，且相邻两个正方形之间的距离相等，这样印刷出来的硅片上既有正电极图形，又有裸硅片可以准确地测试刻蚀后的方阻。
【主权项】
1.一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，其特征在于:在电池片的正表面上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版。
2.根据权利要求1所述的一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，其特征在于:所述的镂空部分呈对称分布在正表面，设置在栅线上或不在栅线上，其数量为5?9个。
3.根据权利要求1所述的一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，其特征在于:所述的镂空部分形状为圆形、四边形或椭圆形。
4.根据权利要求1所述的一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，其特征在于:所述镂空部分的尺寸为(5?15)mnpK5?15)mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于测试湿法刻蚀后方阻的网版，采用的技术解决方案是在电池片的正表面上设置若干个镂空部分，并涂覆感光胶，使蜡不能透过网版，其特征在于所述的镂空部分呈对称分布在正表面，设置在栅线上或不在栅线上，其数量为5～9个；所述的镂空部分形状为圆形、四边形或椭圆形；所述镂空部分的尺寸为(5～15)mm*(5～15)mm。本实用新型的有益效果是通过在主栅线上设计若干个镂空部分，并涂覆感光胶使用后，能够更准确地测试刻蚀后的方阻。
【IPC分类】H01L31-18, B41F15-34
【公开号】CN204289488
【申请号】CN201420577629
【发明人】孙从涛, 赵桂梅
【申请人】浙江鸿禧能源股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年10月1日