晶体硅电池湿法刻蚀工艺中的水膜保护装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶体硅电池湿法刻蚀工艺中的水膜保护装置。
【背景技术】
[0002]现有的多晶娃太阳能电池片的制造工艺中，刻蚀工艺是关键的一步，刻蚀的好坏直接关系到电池片的性能，传统链式湿法刻蚀工艺，是通过控制液面张力来控制硅片边缘的粘液情况，刻蚀边的大小和整齐情况不好控制，一部分液体很容易翻上来导致硅片的正面局部被刻蚀，造成硅片表面四周刻蚀的不均匀，最终形成电池片表面的黑边印问题，影响电池片的电性能和产生外观不良电池片。同时由于刻蚀槽中酸雾凝结，会有小液滴滴到硅片的正面上，这样就会腐蚀硅片正面的PN结，进而影响成品电池片的电性能。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就是解决现有技术中存在的上述问题，提供一种晶体硅电池湿法刻蚀工艺中的水膜保护装置，该水膜保护装置在刻蚀前将硅片正面的表面形成一层均匀的纯水薄膜，在刻蚀过程中保护硅片正面不受刻蚀液的腐蚀。
[0004]为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是:一种晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，包括一组喷淋装置、一组压缩空气吹气装置、主进水管道和主进气管道；喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，二者分别均匀安装在湿法刻蚀设备硅片进入刻蚀槽之前的进料段，喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，并且喷淋方向和吹气方向与硅片之间的夹角能在0° -90°之间调节；喷淋装置连接主进水管道，压缩空气吹气装置连接主进气管道；主进水管道和主进气管道上分别安装有减压阀。
[0005]上述所述的喷淋装置或压缩空气吹气装置包括连接在主进水管道或主进气管道上的多路支路管道、多个针型阀和多个锥形喷头；每路支路管道的另一端连接在锥形喷头的进水/进气端，其上安装有针型阀；锥形喷头由开有主腔体的主体和与主体固定为一体或为一体结构的多个开有与主腔体连通的小腔体的小锥形片组成，每个小锥形片的尖端开有与其小腔体连通的吹孔。
[0006]上述所述吹孔的直径为0.1-0.5微米，使制成的水膜更加致密均匀，不易被破坏，
保护效果更好。
[0007]本实用新型主进水管道连接到湿法刻蚀设备的纯水进水口，主进气管道连接到压缩空气口。硅片经过本实用新型时先通过喷淋装置在硅片表面形成一层水膜，然后再经过吹气装置让硅片表面的水膜均匀的平铺到硅片的整个表面，并将多余的水分吹落，在硅片表面形成一层有一定厚度的均匀的纯水薄膜，在刻蚀过程中保护硅片正面不受刻蚀液的腐蚀，对硅片正面的PN结进行保护，控制硅片边缘粘到刻蚀液，以保证刻蚀液线整齐，美观；同时可以防止刻蚀槽盖上凝结的含酸的小液滴的滴落对硅片正面PN结的腐蚀。总之，本实用新型避免了刻蚀液对硅片正面的腐蚀，保证了成品电池片的电性能，减少了电池片不良外观的形成。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的结构示意图；
[0009]图2为本实用新型的主视图；
[0010]图3为本实用新型的右视图。
【具体实施方式】
[0011]如图1、图2和图3所示，本实施例包括一组喷淋装置、一组压缩空气吹气装置、主进水管道11和主进气管道I。主进水管道11连接到湿法刻蚀设备的纯水进水口，主进气管道I连接到压缩空气口。喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，主进水管道11和主进气管道I分别通过支架安装在设备的进料滚轮(6为置于进料滚轮上的硅片)的上端；通过所述支架可以调节喷淋方向和吹气方向，以使喷淋方向和吹气方向与硅片6之间的夹角能在0° -90°之间调节。主进水管道11和主进气管道I上分别安装有减压阀2，以控制进水或进气量的大小。喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，包括由连接头7连接在主进水管道11或主进气管道I上的5路(也可根据需要设置2路、3路、4路、6路等)支路管道3、5个(也可根据需要设置2个、3个、4个、6个等)针型阀4和5个(也可根据需要设置2个、3个、4个、6个等)锥形喷头5。每路支路管道3的另一端由连接头7连接在锥形喷头5的进水/进气端，其上设置有针型阀4。针型阀4用以调节每组喷淋装置和每组压缩空气吹气装置的进水/进气量的大小。锥形喷头5由开有主腔体的主体8和与主体8固定为一体(也可是一体结构)的多个开有与主腔体连通的小腔体的小锥形片9组成，每个小锥形片9的尖端开有与其小腔体连通的吹孔10。优选地，所述吹孔10的直径为0.1~0.5微米。硅片经过本实用新型时先通过喷淋装置在硅片表面形成一层水膜，然后再经过吹气装置让硅片表面的水膜均匀的平铺到硅片的整个表面，并将多余的水分吹落，在硅片表面形成一层厚度在30-100微米的均匀的纯水薄膜。
[0012]当然，本实用新型还有其它多种实施例，在不违背本实用新型精神和实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型做出相应的改变和变形，如管道的管径、锥形喷头的形状设计、小锥形片数量的多少等，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，其特征在于:包括一组或多组喷淋装置、一组或多组压缩空气吹气装置、主进水管道和主进气管道；喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，二者分别均匀安装在湿法刻蚀设备硅片进入刻蚀槽之前的进料段，喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，并且喷淋方向和吹气方向与硅片之间的夹角能在0° -90°之间调节；喷淋装置连接主进水管道，压缩空气吹气装置连接主进气管道；主进水管道和主进气管道上分别安装有减压阀。2.根据权利要求1所述的晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，其特征在于:所述的喷淋装置或压缩空气吹气装置包括连接在主进水管道或主进气管道上的支路管道、针型阀和锥形喷头；支路管道的另一端连接在锥形喷头的进水/进气端，其上安装有针型阀；锥形喷头由开有主腔体的主体和与主体固定为一体或为一体结构的多个开有与主腔体连通的小腔体的小锥形片组成，每个小锥形片的尖端开有与其小腔体连通的吹孔。3.根据权利要求2所述的晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，其特征在于:上述所述吹孔的直径为0.1-0.5微米。
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，包括一组或多组喷淋装置、一组或多组压缩空气吹气装置、主进水管道和主进气管道；喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，二者分别均匀安装在湿法刻蚀设备硅片进入刻蚀槽之前的进料段，喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，并且喷淋方向和吹气方向与硅片之间的夹角能在0<b>°</b>~90<b>°</b>之间调节；喷淋装置连接主进水管道，压缩空气吹气装置连接主进气管道；主进水管道和主进气管道上分别安装有减压阀。本实用新型在刻蚀前将硅片正面的表面形成一层均匀的纯水薄膜，在刻蚀过程中保护硅片正面不受刻蚀液的腐蚀。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN204905274
【申请号】CN201520543840
【发明人】李静, 殷国安, 张大雨, 朱彩莲, 郑会刚, 杨雄磊
【申请人】巨力新能源股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年7月26日