硅片水膜去水装置的制作方法

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片水膜去水装置。

背景技术：

所谓刻蚀，实际上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法，而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术，在硅片上喷淋水膜，利用SiO2亲水性将水吸附在表面，使扩散面PN结不易遭到破坏，在减小漏电同时最大限度的增加受光面积，提升效率。

在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：为了解决硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题，现提供了一种硅片水膜去水装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片水膜去水装置，其特征在于：包括水槽，所述水槽的一端为硅片的输入端，所述水槽的另一端为硅片的输出端，所述水槽内转动设置有用于输送硅片的输送辊，所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的电机，所述水槽上设有压平板，所述压平板位于所述输送辊上方，所述压平板具有水平段和导向段，所述导向段位于水槽上靠近输入端的一端，所述水平段为平面，所述导向段沿硅片的输送方向为向下倾斜的第一斜面，所述导向段的低端与所述水平段固定连接，所述压平板下底面设有分液板，所述分液板位于导向段处，所述分液板下底面与所述水平段下底面相互水平设置，所述分液板沿输送辊轴向的两侧均设有第二斜面，所述分液板两侧的第二斜面沿硅片的输送方向由内向外逐渐向上倾斜，所述水槽上设有用于控制压平板靠近或者远离输送辊的调节机构。硅片由水槽的输入端输入，通过电机带动输送辊转动并对硅片输送，然后通过压平板上的导向段及分液板对硅片上水膜多余的水进行分离排出，再由压平板上的水平段对硅片上的水膜进行铺平及抹匀处理，再由水槽的输出端输出，使得硅片上的水平保持均匀，保证了在硅片进入蚀刻槽后，硅片上的水膜不会溢出滴落的蚀刻槽内，同时通过控制调节机构，可适用于不同厚度的硅片。

进一步地，所述调节机构包括固定设置在水槽上的支架和螺杆，所述压平板滑动设置支架上，所述螺杆的一端与所述支架螺纹连接，所述螺杆的另一端与所述压平板转动连接。通过调节支架上的螺杆可以调节压平板与输送辊之间的间距，方便快捷。

进一步地，所述压平板上设有滑块，所述支架上设有沿水槽竖直方向设有滑槽，所述滑块滑动设置在滑槽内。通过滑块与滑槽配合，对压平板起到一定的限位作用，使得压平板在使用时稳定可靠。

进一步地，所述螺杆远离压平板的一端设有手轮。通过调节手轮能够快速调节压平板与输送辊之间的间距。

本发明的有益效果是：本发明硅片水膜去水装置在使用时，硅片由水槽的输入端输入，通过电机带动输送辊转动并对硅片输送，然后通过压平板上的导向段及分液板对硅片上水膜多余的水进行分离排出，再由压平板上的水平段对硅片上的水膜进行铺平及抹匀处理，再由水槽的输出端输出，使得硅片上的水平保持均匀，保证了在硅片进入蚀刻槽后，硅片上的水膜不会溢出滴落的蚀刻槽内，同时通过控制调节机构，可适用于不同厚度的硅片，本发明能够有效的去除硅片水膜多余的水，使得水膜均匀铺平在硅片上，良好的适用性，降低了生产成本，避免了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本的问题。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明硅片水膜去水装置的主视图；

图2是本发明硅片水膜去水装置的左视图；

图3是本发明硅片水膜去水装置的内部结构示意图；

图4是本发明硅片水膜去水装置的压平板及分液板的三维结构示意图。

图中：1、水槽，101、输入端，102、输出端，2、硅片，3、输送辊，4、电机，5、压平板，501、水平段，502、导向段，503、滑块，6、分液板，7、支架，701、滑槽，8、螺杆，9、手轮。

具体实施方式

现在结合附图对本发明做进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

实施例

如图2和3所示，一种硅片水膜去水装置，包括水槽1，所述水槽1的一端为硅片2的输入端101，所述水槽1的另一端为硅片2的输出端102，所述水槽1内转动设置有六根用于输送硅片2的输送辊3，所述水槽1外设有用于驱动输送辊3转动的电机4，电机4是通过外接电源接入，并通过外部控制器控制电机4的启闭，电机4和输送辊3之间及输送辊3和输送辊3之间均通过链轮链条的传动方式传动，如图4所示，所述水槽1上设有压平板5，所述压平板5位于所述输送辊3上方，所述压平板5具有水平段501和导向段502，所述导向段502位于水槽1上靠近输入端101的一端，所述水平段501为平面，所述导向段502沿硅片2的输送方向为向下倾斜的第一斜面，所述导向段502的低端与所述水平段501固定连接，所述压平板5下底面设有分液板6，所述分液板6位于导向段502处，所述分液板6下底面与所述水平段501下底面相互水平设置，所述分液板6沿输送辊3轴向的两侧均设有第二斜面，所述分液板6两侧的第二斜面沿硅片2的输送方向由内向外逐渐向上倾斜，所述水槽1上设有用于控制压平板5靠近或者远离输送辊3的调节机构。

如图1所示，所述调节机构包括固定设置在水槽1上的支架7和螺杆8，所述压平板5滑动设置支架7上，所述螺杆8的一端与所述支架7螺纹连接，所述螺杆8的另一端与所述压平板5转动连接。所述螺杆8远离压平板5的一端设有手轮9。

所述压平板5上设有滑块503，所述支架7上设有沿水槽1竖直方向设有相互平行设置的两条滑槽701，所述滑块503滑动设置在滑槽701内。

上述硅片水膜去水装置在使用时，将硅片2上涂覆好水膜，具体操作步骤如下：首先根据硅片2的厚度来控制调节结构，通过调节螺杆8上的手轮9，螺杆8带动压平板5位移，同时压平板5上的滑块503在支架7上的滑槽701内滑动，使得压平板5与输送辊3之间的间距达到硅片2所需的距离，再启动电机4，电机4带动水槽1内的输送辊3转动，将硅片2放置在水槽1的输入端101的输送辊3上，输送辊3带动硅片2向输出端102方向位移，硅片2上的水膜首先与分液板6接触，分液板6两侧的第二斜面将水膜上多余的水向两侧分离，随着硅片2的位移，硅片2上的水膜与压平板5的第一斜边接触并再次分离，当硅片2经过压平板5的水平段501时，由于水平段501为平面，对硅片2上的水膜进行均抹和铺平，最后硅片2由水槽1的输出端102输出，即完成对硅片2上水膜的处理；通过控制调节机构，可适用于不同厚度的硅片2，适用性好，通过滑块503与滑槽701配合，对压平板5起到一定的限位作用，使得压平板5在使用时稳定可靠；与普通的平板相比本发明先通过分液板6两侧的第二斜面将水膜上多余的水向两侧分离，能够先对一部分水膜上的水进行分离，而普通平板在分离多余的水膜时，平板有可能会将水膜分离过多，导致硅片2上水膜不均匀。

上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。