一种用于下镀膜的硅片载板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶硅太阳能电池片的制造技术领域，尤其是涉及一种用于下镀膜的娃片载板。
【背景技术】
[0002]现有晶硅电池PECVD在镀膜过程中，硅片在装载板上的镀膜分为上镀膜和下镀膜两种方式，镀膜主要是指镀氮化硅和/或Al2O3膜。
[0003]所谓上镀膜，是指硅片的待镀膜面朝上，镀膜的气体朝下流出。下镀膜是指硅片的待镀膜面朝下，镀膜的气体朝上流出。镀膜是指NH3和SiH4的混合气体，在一定温度和压力下化学气相沉积到待镀膜硅片上，合成氮化硅膜;或者是三甲基铝(TMA)和O2在一定温度和压力下反应生成Al2O3膜，实现镀膜。
[0004]现有技术中，主要采用上镀膜的方式，镀膜过程中，离子源电极和腔体周围也会镀膜，时间长了，膜太厚会以碎渣掉下来，导致硅片成废品。同时，离子源上镀膜也会导致等离子体性质发生漂移，影响后续镀膜工艺的质量。
[0005]下镀膜方式主要由德国的两种设备使用，一种是MeyerBurger生产的SiNA设备，另外一个是MAiA设备;等离子体在硅片(载板)的下面，这样等离子电极上脆裂氮化硅碎渣掉在腔体内，而不是留在硅片镀膜面。但是为了使硅片固定在载板上，具体是在载板的边缘设置挂勾装置，将需要下镀膜的硅片固定住，具体示意图如图1所示。
[0006]图1左下角标示出了现有下镀膜载板的固定硅片的勾装置，这样的设置会存在一个严重的问题，即硅片和载板之间会存在一定的缝隙，存在缝隙的情况下，在下镀膜的过程中，气体会绕过缝隙，从而使得硅片的背面也有部分被镀膜，业界称之为“绕射”；另外一个问题是，勾装置是在装载板基础上，后加上去的，会存在高温情况下不稳定、机械上不牢固的问题。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型的目的在于提供一种用于下镀膜的硅片载板，以解决现有技术中存在的绕射和不稳定的技术问题。
[0008]本实用新型提供的一种用于下镀膜的硅片载板，所述硅片载板至少包括一个单元；
[0009]每个单元包括:框架和固定片，所述框架的每个边框上设置有至少一个固定片，所述固定片的一端固定在所述框架下侧的表面上，所述固定片的另一端沿所述框架下侧表面向所述框架的内侧延伸并伸出所述框架的内侧表面。
[0010]本实用新型提供的用于下镀膜的硅片载板，该硅片载板的每个单元由框架和固定片组成，固定片设置在框架的底部，固定片的上表面与框架的下表面平齐，固定片的上表面与框架的下表面之间无高度差。硅片镀膜时，硅片放置在框架内，硅片的镀膜面与固定片接触，固定片支撑硅片，硅片的下表面与框架的下表面处于同一平面，镀膜采用下镀膜，硅片与载板底部平面之间无高度差，这样能防止绕射现象，还解决了掉渣等技术问题。
[0011]框架的每个边框的可设置多个固定片，如I个、2个、3个、5个、8个、10个等等，使放置硅片时，固定片更好的支撑硅片。
[0012]为了节约成本，且保持硅片的稳定性，优选地，所述框架的每个边框上设置有1-5个固定片。
[0013]更优选地，所述框架的每个边框上设置有1-2个固定片。
[0014]硅片放置在硅片载板的每个单元内，固定片用于支撑硅片，同时，镀膜时，气体也会喷射到固定片的位置，使得固定片部位的硅片不会镀膜，但由于硅片在后期的处理及使用过程中，边缘部分是不会有实际用途，所以允许固定片存在，但面积尽量小，尽可能减少固定片与硅片的重合，减少硅片镀膜面积的损失。
[0015]为了既达到更好的支撑目的，又减少硅片的损失，优选地，所述固定片伸出所述框架内侧表面的长度为0.2-3mm。
[0016]更优选地，所述固定片伸出所述框架内侧表面的长度为0.5-lmm。
[0017]同样地，优选地，所述固定片的宽度为0.2-3_。
[0018]更优选地，所述固定片的宽度为1-1.5mm。
[0019]为了节约成本的同时，仍然能达到固定硅片的目的，优选地，所述固定片的厚度为
0.1-2mmο
[0020]更优选地，所述固定片的厚度为0.5-lmm。
[0021]本实用新型提供的硅片载板包括多个单元，是为了批量对硅片进行镀膜。硅片载板的单元数可以为I个、2个、5个、10个、15个、20个、30个、40个等等。单元之间并排设置，形成阵列，如可以为4\5、4\6、4\7、4\8、5\5、5\6、5\7、5父8等等。
[0022]为了便于设置，节约成本，单元之间并排设置时，优选地，不同单元相接的部位共用一个边框。
[0023]边框不能太宽，这是因为边框太宽和太厚，整个硅片载板的重量就大，硅片载板在重力作用下，尤其是高温环境下，硅片载板的中间部位会出现向下的形变，所以，对硅片载板每个单元的框架的边框的厚度和宽度也有一定要求。优选地，所述边框的厚度为4-10mm，所述边框的宽度为4-20mm。
[0024]为了防止硅片载板发生形变，并能实现批量镀膜，优选地，所述硅片载板包括20-64个单元，更优选为30-40个单元。单元之间并排设置，形成阵列，如可以为5 X5、5X6、6 X
5、5 X 8等等。
[0025]优选地，所述框架和固定片的材质为碳纤维、石墨、耐高温陶瓷中的任一种。这些材质在高温下稳定，以防止硅片载板发生形变。
[0026]框架和固定片一体加工打磨成型，这样就避免了在高温情况下固定片和框架之间的结合牢固性问题。
[0027]优选地，在制备过程中，所述硅片载板的框架和固定片一体成型。
[0028]另外，本实用新型中的固定片的形状可以为长方形、正方形、圆形、椭圆形、三角形、梯形、五边形、以及其他不规则图形。
[0029]每个单元中的框架的形状以及大小与需要镀膜的硅片的形状和大小相适应即可。为了便于放置和取出，并且更好的防止绕射现象，放置在硅片载板每个单元内的硅片，其边缘与框架之间的距离不能相差太多，一般在Imm以内即可，优选为0.3-0.5mm，最优选为
0.5mm。如每个单元的框架框内尺寸为157 X 157mm;娃片的外尺寸为156 X 156mm，框架框内侧面与硅片间的距离为0.5_，这样既可以使硅片容易取放，还能更好的防止绕射现象。
[0030]与现有技术相比，本实用新型的有益效果为:
[0031](I)本实用新型提供的一种用于下镀膜的硅片载板，采用特定的固定片设计，使硅片放置在载板上时，硅片的下平面与载板的下平面处于同一平面，两者之间无高度差，采用下镀膜方式对硅片进行镀膜时，防止绕射现象，还解决了掉渣等技术问题。
[0032](2)本实用新型限定了固定片的数量、固定片的长度、宽度以及厚度，既能更好的支撑硅片，又极大的节约成本，减少浪费。
[0033](3)本实用新型还限定了边框的厚度和宽度，防止硅片载板发生形变，保持硅片载板的稳定性。
[0034](4)本实用新型还限定了框架和固定片的材质，以保持硅片载板性能的稳定性。
[0035](5)本实用新型提供的硅片载板一体成型，避免了在高温情况下固定片和框架之间的结合牢固性问题。
[0036](6)本实用新型提供的硅片载板在使用过程中，硅片的大小和形状与框架相适，硅片的边缘与框架之间的距离的在Imm以内，防止了绕射现象，硅片载板稳定性好，易于取放娃片。
【附图说明】
[0037]为了更清楚地说明本实用新型【具体实施方式】或现有技术中的技术方案，下面将对【具体实施方式】或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1为本实用新型【背景技术】中现有的硅片载板的示意图；
[0039]图2为本实用新型实施例提供的硅片载板一个单元中每个边框有I个固定片的示意图；
[0040]图3为本实用新型实施例提供的边框和固定片连接部位的横截面示意图；
[0041]图4为本实用新型实施例提供的硅片载板一个单元中每个边框有2个固定片的示意图；
[0042]图5为本实用新型实施例提供的硅片载板一个单元中每个边框有3个固定片的示意图；
[0043]图6为本实用新型实施例提供的硅片载板的示意图；
[0044]附图标记:
[0045]1-框架;2-固定片;3-框架的横截面;4-固定片的横截面。
【具体实施方式】
[0046]下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0047]在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0048]在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接;可以是机械连接，也可以是电连接;可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0049]本实用新型提供的一种用于下镀膜的硅片载板，如图2-图6所示，所述硅片载板至少包括一个单元；
[0050]每个单元包括:框架I和固定片2，所述框架I的每个边框上设置有至少一个固定片2，