技术编号:8603219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。CZ单晶硅生长法中,一次性使用的石英坩祸价格较高,所以投料量对生产成本有着重要影响,那么增加每炉次的投料量成为一个降低成本的重要手段,而22寸热场这种大型热场尤其需要增加一次投料量,因硅元素固体形态的密度(2.33)小于其液体形态的密度,所以在投料过程中空间对总投料量造成限制,现有技术往往是通过直接增大容器,以此增加投料量,这样增加了成本,而且无法对投料量进行控制。实用新型内容本实用新型的目的是提供一种用于磁场单晶炉的导流筒,通过本实用新型可以增加投料量,...
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