一种用于磁场单晶炉的导流筒的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及单晶炉制造设备领域，特别是涉及一种用于磁场单晶炉的导流筒O
【背景技术】
[0002]CZ单晶硅生长法中，一次性使用的石英坩祸价格较高，所以投料量对生产成本有着重要影响，那么增加每炉次的投料量成为一个降低成本的重要手段，而22寸热场这种大型热场尤其需要增加一次投料量，因硅元素固体形态的密度(2.33)小于其液体形态的密度，所以在投料过程中空间对总投料量造成限制，现有技术往往是通过直接增大容器，以此增加投料量，这样增加了成本，而且无法对投料量进行控制。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种用于磁场单晶炉的导流筒，通过本实用新型可以增加投料量，降低生产成本。
[0004]本实用新型解决上述问题的技术方案是:
[0005]一种用于磁场单晶炉的导流筒，它包括重锤和导流筒本体，所述重锤设置在导流筒本体上方，所述导流筒本体为上下通透的筒状结构，所述导流筒本体包括第一导流筒和第二导流筒，所述第二导流筒设置在第一导流筒内部，它还包括卡箍、连杆和挂钩，所述挂钩均匀安装在第二导流筒上方，且挂钩的端部向下弯曲，所述卡箍安装在重锤上，且卡箍外侧均匀安装有多个凸块，所述连杆连接凸块和挂钩，且连杆的数目与挂钩的数目一致；
[0006]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进，
[0007]进一步，所述挂钩至少有三个；
[0008]进一步，所述挂钩、连杆和卡箍的材料为钼；
[0009]本实用新型在增加连杆、卡箍和挂钩，通过连杆拉动挂钩，带动第二导流筒，使得热场空间增大，从而增加一次投料量，通过连杆连接不同的凸块，可以控制第二导流筒上升的高度，从而控制投料量。
[0010]本实用新型的有益效果
[0011]1.本实用新型通过连杆和挂钩的配合，带动第二导流筒，使得热场空间增大，从而增大一次投料量。
[0012]2.本实用新型结构简单，成本低，能够控制投料量。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型具体实施例所述的一种用于磁场单晶炉的导流筒的结构示意图；
[0014]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0015]1、重锤，2、导流筒本体，3、第一导流筒，4、第二导流筒，5、卡箍，6、连杆，7、挂钩，8、凸块。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0017]一种用于磁场单晶炉的导流筒，它包括重锤I和导流筒本体2，所述重锤I设置在导流筒本体2上方，所述导流筒本体2为上下通透的筒状结构，所述导流筒本体2包括第一导流筒3和第二导流筒4，所述第二导流筒4设置在第一导流筒3内部，它还包括卡箍5、连杆6和挂钩7，所述挂钩7均匀安装在第二导流筒4上方，且挂钩7的端部向下弯曲，所述卡箍5安装在重锤I上，且卡箍5外侧均匀安装有多个凸块8，所述连杆6连接凸块8和挂钩7，且连杆6的数目与挂钩7的数目一致，所述挂钩7至少有三个，所述挂钩7、连杆6和卡箍5的材料为钼；
[0018]本实用新型在使用时:
[0019]1.先用材料钼制作挂钩7、卡箍5和连杆6 ；
[0020]2.将挂钩7均匀安装在导流筒本体2上；
[0021]3.在重锤I上安装卡箍5，连杆6 ；
[0022]4.装料完毕后吊起导流筒本体2，使热场空间增大，从而增大了一次投料量。
[0023]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于磁场单晶炉的导流筒，它包括重锤和导流筒本体，所述重锤设置在导流筒本体上方，所述导流筒本体为上下通透的筒状结构，所述导流筒本体包括第一导流筒和第二导流筒，所述第二导流筒设置在第一导流筒内部，其特征在于，它还包括卡箍、连杆和挂钩，所述挂钩均匀安装在第二导流筒上方，且挂钩的端部向下弯曲，所述卡箍安装在重锤上，且卡箍外侧均匀安装有多个凸块，所述连杆连接凸块和挂钩，且连杆的数目与挂钩的数目一致。
2.根据权利要求1所述的一种用于磁场单晶炉的导流筒，其特征在于，所述挂钩至少有三个。
3.根据权利要求2所述的一种用于磁场单晶炉的导流筒，其特征在于，所述挂钩、连杆和卡箍的材料为钼。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于磁场单晶炉的导流筒，它包括重锤和导流筒本体，重锤设置在导流筒本体上方，导流筒本体为上下通透的筒状结构，导流筒本体包括第一导流筒和第二导流筒，第二导流筒设置在第一导流筒内部，它还包括卡箍、连杆和挂钩，挂钩均匀安装在第二导流筒上方，且挂钩的端部向下弯曲，卡箍安装在重锤上，且卡箍外侧均匀安装有多个凸块，连杆连接凸块和挂钩，且连杆的数目与挂钩的数目一致，本实用新型结构简单，成本，且增加了一次投料量。
【IPC分类】C30B15-00, C30B29-06
【公开号】CN204311153
【申请号】CN201420802643
【发明人】涂珩
【申请人】扬州合晶科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月16日