技术编号:87355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。 背景技术目前,由于根据半导体器件的高度集成而最小化的趋势使得晶体管的宽度持续变窄。 因此在晶体管内部会发生热载流子效应。相对于外部施加的电压而言当沟道长度变得更短时,水平电场会高度集中于漏极区从而使漏极区的电学特性退化并产生空穴,且这里,热载流子效应表明空穴朝向衬底移动。 另一方面,电子在栅极氧化物膜或间隔件下方被截留,从而影响阈值电压。 当高电场施加到半导体衬底的沟道上时,热载流子效应变得更严重,这是因为尽管沟道长度变得更短,但是对于特定的应用而言,电源电压相对恒定。 特别是,作...
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