技术编号:8906835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 现有生产出的晶硅电池片有部分在使用中会因其内的并联电阻(Rsh) <30Q而产生漏电,使得晶硅电池的电能产生损失,降低晶硅电池的光电转化率。现有对 并联电阻(Rsh) <30Q的晶硅电池片进行改善,即提高其内的并联电阻,使其内的并联电 阻>30 Q的方法,主要有手工打磨、金刚沙磨边等手段。手工打磨是以人工方式,使用挫刀 类工具对低并联电阻电池片(并联电阻(Rsh) < 30 Q,以下同)进行边缘打磨,使其转化成 正常并联电阻的电...
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