一种提高晶硅电池片并联电阻的方法
【技术领域】 [0001] ：本发明涉及太阳能光伏领域，特别是一种提高晶硅电池片并联电阻的 方法。
【背景技术】 [0002] ：现有生产出的晶硅电池片有部分在使用中会因其内的并联电阻（Rsh) <30Q而产生漏电，使得晶硅电池的电能产生损失，降低晶硅电池的光电转化率。现有对 并联电阻（Rsh) <30Q的晶硅电池片进行改善，即提高其内的并联电阻，使其内的并联电 阻>30 Q的方法，主要有手工打磨、金刚沙磨边等手段。手工打磨是以人工方式，使用挫刀 类工具对低并联电阻电池片（并联电阻（Rsh) < 30 Q，以下同）进行边缘打磨，使其转化成 正常并联电阻的电池片；该种方式在使用中不足是：生产效率低，极易造成碎片、隐裂、缺 边等缺陷片。金刚沙磨边是将电池片置于备有金刚沙的设备中以机械运动方式进行磨蚀， 原理与手工打磨类似，虽然生产效率高，但使低并联电阻电池片的逆向转化率低。
【发明内容】
[0003] ：本发明的目的是针对现有在改善低并联电阻电池片所用的技术中所存 在的上述不足，而提出一种既可提高低并联电阻电池片的电阻使其达到标准值，又具有生 产效率高，不会对低并联电阻电池片造成损伤及不影响其性能的提高晶硅电池片并联电阻 的方法。
[0004] 通过下述技术方案，可实现本发明的目的，一种提高晶硅电池片并联电阻的方法， 其特征在于，它由如下步骤组成 ：
[0005] 第一步：启动激光切割机，设置好切割参数及切割轨迹；
[0006] 第二步：将低并联电阻电池片置于激光切割机操作平台上，打开真空阀将低并联 电阻电池片固定；
[0007] 第三步：在氮气保护下，按所设定的切割轨迹对低并联电阻电池片边缘进行切 割；
[0008] 第四步：关闭真空阀，取下电池片；
[0009] 第五步：对电池片性能测试及组件功率测试；
[0010] 第一步中所述切割参数的设置是：切割电流参数设置值为6. 2~8. 6A ;激光光斑 大小为0? 5mm~0? 2mm，切割速率为5~10mm/s ;第一步中所述切割轨迹是：单边直线分4 段切割或4边方形连续切割。
[0011] 第三步中所述对电池片边缘进行切割是：在电池片边缘切以单边槽形式切割。
[0012] 第五步中所述对电池片性能测试及组件功率测试，采用的是Halm测试仪。
[0013] 本发明的效果是：1、改善效果好，为企业降低了损失，提高了经济效益，从表1和 表2的测试结果不难看到，通过用本方法对低并联电阻电池片进行改善，并联电阻提升明 显，Rsh >30 Q比例达60%以上，这在于，本方法是采用激光对低并联电阻电池片进行处 理，它不会对电池片施加机械力，所以，不会出现碎片、隐裂、缺边等缺陷片，从而提高合格 率；2、生产效率高，因为本方法采用的是全自动机械化作业，所以，它比手工打磨的方式要 提高生产效率数十倍；3、经改良后的电池组件功率封装损耗低，封装损耗小于3%。
【具体实施方式】 [0014] ：以下通过实施例对本发明进行进一步具体描述，有必要在此指出 的是以下实施例是对本发明的进一步说明，而不是限制本发明的范围。
[0015] 实施例1:
[0016] 随机抽取100片低并联电阻片作为本实施例的样本；
[0017] 第一步：启动激光切割机，切割电流参数设置值为6. 2A，激光光斑大小为0. 1mm， 切割速率为80mm/s，切割轨迹为单边直线分4段切割；
[0018] 第二步：将低并联电阻电池片置于激光切割机操作平台，打开真空阀，将低并联电 阻电池片固定；
[0019] 第三步：在氮气保护下，按设定的切割轨迹对低并联电阻电池片边缘以单边槽形 式切割；
[0020] 第四步：关闭真空阀，取下电池片；
[0021] 第五步：采用Halm测试仪，对加工后的电池片进行电性能测试，测试结果见表1 ; 在切割测试筛选后的电池片中，随机抽取60片，制成P60标准组件并用Halm测试仪对组件 功率测试，测试结果见表2。
[0022] 实施例2 :
[0023] 随机抽取100片低并联电阻片作为本实施例的样本；
[0024] 第一步：启动激光切割机，切割电流参数设置值为7. 6A，激光光斑大小为0. 1mm， 切割速率为l〇〇mm/s，切割轨迹为单边直线分4段切割；
[0025] 第二步：将低并联电阻晶硅太阳电池片置于激光切割机操作平台，打开真空阀，将 低并联电阻电池片固定；
[0026] 第三步：在氮气保护下，按设定的切割轨迹对电池片边缘以单边槽形式进行切 割；
[0027] 第四步：关闭真空阀，取下电池片；
[0028] 第五步：电池片电性能测试及组件功率测试；
[0029] 采用Halm测试仪，对加工后的电池片进行电性能测试，测试结果见表1;在切割测 试筛选后的电池片中，随机抽取60片，制成P60标准组件并用Halm测试仪对组件功率测 试，测试结果见表2。
[0030] 实施例3 :
[0031] 随机抽取100片低并联电阻片作为本实施例的样本；
[0032] 第一步：启动激光切割机，切割电流参数设置值为8.5A，激光光斑大小为0. 1mm， 切割速率为l〇〇mm/s，切割轨迹为4边方形连续切割；
[0033] 第二步：将低并联电阻晶硅太阳电池片置于激光切割机操作平台，打开真空阀，将 低并联电阻电池片固定；
[0034]第三步：在氮气保护下，按设定的切割轨迹对电池片边缘以单边槽形式进行切 割；
[0035] 第四步：关闭真空阀，取下电池片；
[0036] 第五步：电池片电性能测试及组件功率测试；
[0037] 采用Halm测试仪，对加工后的电池片进行电性能测试，测试结果见表1;在切割测 试筛选后的电池片中，随机抽取60片，制成P60标准组件并用Halm测试仪对组件功率测 试，测试结果见表2。
[0038] 表1:实施例1~3所得试样的电性能参数及Rsh > 30 Q比例。
[0039]
[0040] 表2 :实施例1~3所得试样制成P60标准组件功率及封装损耗。
[0041]
【主权项】
1. 一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，其特征在于，它由如下步骤组成： 第一步：启动激光切割机，设置好切割参数及切割轨迹； 第二步：将低并联电阻电池片置于激光切割机操作平台上，打开真空阀将低并联电阻 电池片固定； 第三步：在氮气保护下，按所设定的切割轨迹对低并联电阻电池片边缘进行切割； 第四步：关闭真空阀，取下电池片； 第五步：对电池片性能测试及组件功率测试。2. 按权利要求1所述的一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，其特征在于，第一步中 所述切割参数的设置是：切割电流参数设置值为6. 2~8. 6A ;激光光斑大小为0. 5mm~ 0. 2mm，切割速率为5~lOmm/s ;第一步中所述切割轨迹是：单边直线分4段切割或4边方 形连续切割。3. 按权利要求1所述的一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，其特征在于，第三步中 所述对电池片边缘进行切割是：在电池片边缘切以单边槽形式切割。4. 按权利要求1或2或3所述的一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，其特征在于，第 五步中所述对电池片性能测试及组件功率测试，采用的是Halm测试仪。
【专利摘要】本发明提供一种提高晶硅电池片并联电阻的方法，它通过激光切割机对低并联电阻电池片按所设定的切割轨迹进行切割而成。它的效果是：1、改善效果好，通过用本方法对低并联电阻电池片进行改善，并联电阻提升明显，Rsh＞30Ω比例达60％以上；2、生产效率高；3、经改良后的电池组件功率封装损耗小于3％。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN104882512
【申请号】CN201410212533
【发明人】习冬勇, 龚海波, 陈淳, 万小强, 高杨
【申请人】江西瑞晶太阳能科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年5月12日