技术编号：8923835
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件工艺的发展，缺陷检测已经成为提升半导体良率一项不可或缺的手段。目前的缺陷检测方法都只适合对单片晶圆(wafer)上的缺陷(defect)进行识别，但是如果晶圆与晶圆之间存在的缺陷就很难识别出来，例如，如果某一晶圆比同一批次(lot)的其它晶圆相比少长了一层膜(film)，现有的检测方法检测出来的缺陷分布图(defectmap)都是正常的，因此无法检测出某一晶圆的异常情况。例如，在现有技术中，在进行铝刻蚀工艺之后，检测机台使用现有的检测方法进行...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。