晶圆缺陷检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种晶圆缺陷检测方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体器件工艺的发展，缺陷检测已经成为提升半导体良率一项不可或缺的手段。目前的缺陷检测方法都只适合对单片晶圆(wafer)上的缺陷(defect)进行识别，但是如果晶圆与晶圆之间存在的缺陷就很难识别出来，例如，如果某一晶圆比同一批次(lot)的其它晶圆相比少长了一层膜(film)，现有的检测方法检测出来的缺陷分布图(defectmap)都是正常的，因此无法检测出某一晶圆的异常情况。
[0003]例如，在现有技术中，在进行铝刻蚀工艺之后，检测机台使用现有的检测方法进行检测，如图1所示，正常晶圆的缺陷分布图没有出现异常情况；如果问题晶圆少沉积了一层铝膜，检测机台使用现有的检测方法对问题晶圆进行检测后，问题晶圆的缺陷分布图也没有出现异常情况，如图2所示。所以，现有技术无法检测出晶圆之间的异常情况，从而不能满足检测的需要。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于，提供一种晶圆缺陷检测方法，能检测出晶圆之间的异常情况，提闻检测的准确性。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆缺陷检测方法，包括:
[0006]提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片;
[0007]获取一待测晶圆的待测芯片，所述待测芯片与标准芯片的大小相等；
[0008]将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常。
[0009]进一步地，所述提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片的步骤包括:
[0010]从所述标准晶圆上抽样产生多个标准芯片，每一所述标准芯片的相同位置均具有一标准像素点；
[0011]根据多个所述标准像素点的灰度值，得到一虚拟层间标准值；
[0012]所述虚拟层间标准芯片包括所述虚拟层间标准值。
[0013]进一步地，所述标准晶圆具有四个象限，每一所述象限内具有至少一个所述标准
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[0014]进一步地，所述标准晶圆具有多个曝光区，在所述曝光区的不同位置上产生至少两个所述标准芯片。
[0015]进一步地，所述标准晶圆具有多个环形区，每一所述环形区内具有至少一个所述标准芯片。
[0016]进一步地，所述标准晶圆上抽样产生至少三个所述标准芯片，去掉最大的所述标准像素点的灰度值和最少的所述标准像素点的灰度值，剩余的所述标准像素点的灰度值取平均值，得到所述虚拟层间标准值。
[0017]进一步地，将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常的步骤包括:
[0018]所述待测芯片上具有与所述标准像素点相对应的待测像素点；
[0019]检测所述待测像素点的灰度值，将所述待测像素点的灰度值与所述虚拟层间标准芯片进行比较，得到一层间灰度差值；
[0020]将所述层间灰度差值与一层间灰度范围进行比较，如果所述层间灰度差值在所述层间灰度范围内，则所述待测晶圆符合所述标准晶圆的标准；如果所述层间灰度差值超出所述层间灰度范围，则所述待测晶圆不符合所述标准晶圆的标准。
[0021]进一步地，所述层间灰度范围的取值范围为O?X，其中，10彡X彡100。
[0022]进一步地，所述晶圆缺陷检测方法还包括:
[0023]从所述待测晶圆上抽样产生多个待测晶圆芯片，每一所述待测晶圆芯片的相同位置均具有一晶圆像素点，所述待测芯片与待测晶圆芯片的大小相等；
[0024]根据多个所述晶圆像素点的灰度值，得到一虚拟晶圆标准值；
[0025]将所述待测芯片与虚拟晶圆标准值进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常。
[0026]进一步地，所述待测晶圆具有四个象限，每一所述象限内具有至少一个所述待测晶圆芯片。
[0027]进一步地，所述待测晶圆具有多个曝光区，在所述曝光区的不同位置上产生至少两个所述待测晶圆芯片。
[0028]进一步地，所述待测晶圆具有多个环形区，每一所述环形区内具有至少一个所述待测晶圆芯片。
[0029]进一步地，所述待测晶圆上抽样产生至少三个待测标准芯片，去掉最大的所述待测像素点的灰度值和最小的所述待测像素点的灰度值，剩余的所述待测像素点的灰度值取平均值，得到所述待测层间标准值。
[0030]进一步地，将所述待测芯片与虚拟晶圆标准值进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常的步骤包括:
[0031]所述待测芯片上具有与所述晶圆像素点相对应的待测像素点；
[0032]检测所述待测像素点的灰度值，将所述待测像素点的灰度值与所述虚拟晶圆标准芯片进行比较，得到一晶圆灰度差值；
[0033]将所述晶圆灰度差值与一晶圆灰度范围进行比较，如果所述晶圆灰度差值在所述晶圆灰度范围内，则所述待测晶圆符合所述待测晶圆缺陷的标准；如果所述晶圆灰度差值超出所述晶圆灰度范围，则所述待测晶圆不符合所述待测晶圆缺陷的标准。
[0034]进一步地，所述晶圆灰度范围的取值范围为O?y，其中，1SyS 100。
[0035]进一步地，所述晶圆缺陷检测方法还包括:
[0036]将所述晶圆灰度差值与层间灰度差值进行比较，得到一概率差值；
[0037]将所述概率差值与一概率标准范围进行比较，如果所述概率差值在所述概率标准范围内，则所述待测晶圆正常；如果所述概率差值超出所述概率标准范围，则所述待测晶圆异常。
[0038]进一步地，所述晶圆灰度范围的取值范围为O?z，其中，I彡z ( 50。
[0039]进一步地，所述虚拟层间标准芯片存储在一检测机台的主程式中。
[0040]与现有技术相比，本发明提供的晶圆缺陷检测方法具有以下优点:
[0041]在本发明提供的晶圆缺陷检测方法中，首先，提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片；然后，获取一待测晶圆的待测芯片，所述待测芯片与标准芯片的大小相等；最后，将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常。与现有技术相比，对所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，当所述待测芯片与标准晶圆存在明显差异时，可以方便地检测出来，从而准确地检测出晶圆之间的差异，确保检测的准确性。
【附图说明】
[0042]图1为现有技术中正常晶圆的缺陷分布图；
[0043]图2为现有技术中问题晶圆的缺陷分布图；
[0044]图3为本发明一实施例中晶圆缺陷检测方法的流程图；
[0045]图4为本发明一实施例中标准晶圆上标准芯片的不意图；
[0046]图5为本发明另一实施例中标准晶圆上标准芯片的不意图；
[0047]图6为本发明又一实施例中标准晶圆上标准芯片的不意图；
[0048]图7为本发明又一实施例中标准芯片中标准像素点的示意图；
[0049]图8为本发明一实施例中待测芯片中待测像素点的示意图。
【具体实施方式】
[0050]下面将结合示意图对本发明的晶圆缺陷检测方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0051]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0052]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0053]本发明的核心思想在于，提供一种晶圆缺陷检测方法，包括:
[0054]步骤Sll:提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片；
[0055]步骤S12:获取一待测晶圆的待测芯片，所述待测芯片与标准芯片的大小相等；
[0056]步骤S13:将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常。
[0057]与现有技术相比，对所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，当所述待测芯片与标准晶圆存在明显差异时，可以方便地检测出来，从而准确地检测出晶圆之间的差异，确保检测的准确性。
[0058]以下列举所述晶