技术编号：8944202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，大量提出了为提高存储器单元的集成度而按三维配置有存储器单元的非易失性半导体存储装置(层叠型的非易失性半导体存储装置)。发明内容本发明的实施方式提供能够使存储器单元所保持的数据的可靠性提高的非易失性半导体存储装置。—方式所涉及的非易失性半导体存储装置具有存储器单元阵列以及控制电路。存储器单元阵列包括构成为能够保持多个阈值电压分布的多个存储器单元；以及共同连接于多个存储器单元的栅的多条字线。控制电路，在执行了对存储器单元施加至少一部分为负的阈值电压分布...
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