技术编号：8947590
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统上已经在集成电路(IC)中在包括多个层的单个层级中制作组件(逻辑门、晶体管、存储器单元等等)。按照这种方式，该层级包括用于形成掺杂阱、内阱、栅极触点、栅极电介质层、逻辑迹线、金属触点、通孔、迹线布线等等的层，目的在于形成分布在该层级的二维(2-D)空间中的该层级的组件。为了增加组件密度的目的，可以使用更近期引入的IC制造技术来创建三维(3-D) 1C，也称作多层级1C。如其名称所暗示的，多层级IC包含多个层级，其中所述层级和包含于其中的组件彼此“堆叠”...
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