技术编号：9107232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中，功率MOSFET器件，如图1所示，其栅电极区域只是简单的将圆胞区域每个圆胞的多晶栅引出来通过金属互连在一起。这样，在电路中一般都是在功率MOSFET器件驱动端加入一个栅极电阻来调整器件开关过程中的电压尖峰。现有功率MOSFET器件栅电极只是作为圆胞区栅极的引出，在实际的应用电路中一般都是需要在驱动端加一个驱动电阻来调节开关过程中电压尖峰问题。实用新型内容本实用新型的目的是提供一种功率MOSFET器件栅电极结构。本实用新型的技术方案是，一种功率M...
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